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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tipo di ingresso | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Condizione di prova | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tempo di recupero inverso (trr) | Tipo IGBT | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Collettore pulsato (Icm) | Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic | Cambiare energia | Carica di cancello | Td (acceso/spento) @ 25°C |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AON6232A | - | ![]() | 3148 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON62 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 40 V | 35A (Ta), 85A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,9 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±20 V | 3250 pF a 20 V | - | 6,2 W (Ta), 113,5 W (Tc) | |||||||||||||||||
![]() | AOTF2144L | 1.1829 | ![]() | 6211 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF2144 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AOTF2144LTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 40 V | 46A (Ta), 90A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,3 mOhm a 20 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 95 nC a 10 V | ±20 V | 5225 pF a 20 V | - | 8,3 W (Ta), 32 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AONS36304 | 0,3032 | ![]() | 3625 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AONS363 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AONS36304TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 37A (Ta), 85A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 3 mOhm a 20 A, 10 V | 1,9 V a 250 µA | 60 nC a 10 V | ±20 V | 2430 pF a 15 V | - | 6,2 W (Ta), 42 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AOTF2146L | 1.1619 | ![]() | 4981 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF2146 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AOTF2146LTR | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 40 V | 42A (Ta), 80A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,8 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 70 nC a 10 V | ±20 V | 3830 pF a 20 V | - | 8,3 W (Ta), 29,5 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AOC2804 | - | ![]() | 6403 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaMOS | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 4-XDFN | AOC280 | MOSFET (ossido di metallo) | 700 mW | 4-DFN (1,5x1,5) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Scarico comune a 2 canali N (doppio). | - | - | - | - | 9,5 nC a 4,5 V | - | - | |||||||||||||||||
![]() | AO4413_101 | - | ![]() | 1873 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canale P | 30 V | 15A (Ta) | 10 V, 20 V | 7 mOhm a 15 A, 20 V | 3,5 V a 250 µA | 61 nC a 10 V | ±25 V | 3500 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta) | ||||||||||||||||
| AON6246 | - | ![]() | 6525 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON62 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 13A (Ta), 80A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 6,4 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 40 nC a 10 V | ±20 V | 3420 pF a 30 V | - | 2,3 W (Ta), 83 W (Tc) | |||||||||||||||||
![]() | AO4266E | 0,2376 | ![]() | 8827 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO42 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SO | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 11A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 13,5 mOhm a 11 A, 10 V | 2,2 V a 250 µA | 10 nC a 4,5 V | ±20 V | 755 pF a 30 V | - | 3,1 W (Ta) | |||||||||||||||
![]() | AON7422E_101 | - | ![]() | 3217 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerVDFN | AON742 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN-EP (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 5.000 | CanaleN | 30 V | 20A (Ta), 40A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 4,3 mOhm a 20 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 50 nC a 10 V | ±20 V | 2940 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta), 36 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AOTF66613L | 1.6023 | ![]() | 6101 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaSGT™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF66613 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AOTF66613L | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 60 V | 44,5 A (Ta), 90 A (Tc) | 8 V, 10 V | 2,5 mOhm a 20 A, 10 V | 3,5 V a 250 µA | 110 nC a 10 V | ±20 V | 5300 pF a 30 V | - | 8,3 W (Ta), 34,5 W (Tc) | ||||||||||||||
![]() | AOSS32334C | 0,4300 | ![]() | 26 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AOSS323 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 6,2A(Ta) | 4,5 V, 10 V | 20 mOhm a 6,2 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 20 nC a 10 V | ±20 V | 600 pF a 15 V | - | 1,3 W(Ta) | |||||||||||||||
![]() | AOTL66918 | 3.6622 | ![]() | 1873 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSFN | AOTL669 | MOSFET (ossido di metallo) | PEDAGGIO | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AOTL66918TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.000 | CanaleN | 100 V | 30A (Ta), 214A (Tc) | 8 V, 10 V | 4,3 mOhm a 20 A, 10 V | 3,7 V a 250 µA | 105 nC a 10 V | ±20 V | 6500 pF a 50 V | - | 10 W (Ta), 500 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AOD425 | - | ![]() | 5482 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD42 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canale P | 30 V | 9A (Ta), 50A (Tc) | 5 V, 10 V | 17 mOhm a 20 A, 10 V | 3,5 V a 250 µA | 38 nC a 10 V | ±25 V | 2200 pF a 15 V | - | 2,5 W (Ta), 71 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AO3413L | - | ![]() | 5604 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | Variante 3-SMD, SOT-23-3 | AO34 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-23-3 | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 20 V | 3A (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 97 mOhm a 3 A, 4,5 V | 1 V a 250 µA | 6,1 nC a 4,5 V | ±8 V | 540 pF a 10 V | - | 1,4 W(Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AONR32314 | 0,1497 | ![]() | 5241 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SMD, cavo piatto | AONR323 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (3x3) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 30 V | 17A (Ta), 30A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 8,7 mOhm a 17 A, 10 V | 2,25 V a 250 µA | 32 nC a 10 V | ±20 V | 1420 pF a 15 V | - | 4,1 W (Ta), 24 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AO4496_101 | - | ![]() | 6354 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 30 V | 10A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 19,5 mOhm a 10 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 13 nC a 10 V | ±20 V | 715 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AONS21307 | 0,2614 | ![]() | 6543 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AONS213 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 785-AONS21307TR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 17A (Ta), 24A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 11 mOhm a 20 A, 10 V | 2,3 V a 250 µA | 50 nC a 10 V | ±25 V | 1995 pF a 15 V | - | 5 W (Ta), 38 W (Tc) | |||||||||||||||
![]() | AO4449_DELTA | - | ![]() | 3843 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-AO4449_DELTATR | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 30 V | 7A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 34 mOhm a 7 A, 10 V | 2,4 V a 250 µA | 16 nC a 10 V | ±20 V | 760 pF a 15 V | - | 3,1 W (Ta) | ||||||||||||||
![]() | AOD4162 | - | ![]() | 6926 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | AlphaMOS | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD41 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | CanaleN | 30 V | 16A (Ta), 46A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 6,5 mOhm a 20 A, 10 V | 2,6 V a 250 µA | 18 nC a 10 V | ±20 V | 1187 pF a 15 V | - | 2,5 W (Ta), 50 W (Tc) | ||||||||||||||||
![]() | AON3825_001 | - | ![]() | 5325 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | - | - | - | AON3825 | - | - | - | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | - | - | - | - | - | - | - | - | |||||||||||||||||||
![]() | AOD607_DELTA | - | ![]() | 6303 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-5, DPak (4 derivazioni + linguatta), TO-252AD | AOD60 | MOSFET (ossido di metallo) | 25 W (Tc) | TO-252-4L | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canali N e P complementari | 30 V | 12A (Tc) | 25 mOhm a 12 A, 10 V, 37 mOhm a 12 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA, 2,4 V a 250 µA | 12,5 nC a 4,5 V, 11,7 nC a 4,5 V | 1250pF a 15V, 1100pF a 15V | - | ||||||||||||||||||
![]() | AO4443 | 0,3015 | ![]() | 3382 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO44 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-SOIC | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | Canale P | 40 V | 6A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 42 mOhm a 6 A, 10 V | 2,6 V a 250 µA | 22 nC a 10 V | ±20 V | 1175 pF a 20 V | - | 3,1 W (Ta) | |||||||||||||||
![]() | AOD424 | 0,9400 | ![]() | 63 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | AOD42 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-252 (DPAK) | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 20 V | 18A (Ta), 45A (Tc) | 2,5 V, 4,5 V | 4,4 mOhm a 20 A, 4,5 V | 1,6 V a 250 µA | 43 nC a 10 V | ±12V | 4630 pF a 10 V | - | 2,5 W (Ta), 100 W (Tc) | |||||||||||||||
| AON6450 | - | ![]() | 5032 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | SDMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON645 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 100 V | 9A (Ta), 52A (Tc) | 7 V, 10 V | 14,5 mOhm a 20 A, 10 V | 4 V a 250 µA | 52 nC a 10 V | ±25 V | 3100 pF a 50 V | - | 2,3 W (Ta), 83 W (Tc) | |||||||||||||||||
![]() | AOTF15B65M3 | - | ![]() | 9194 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | Alfa IGBT™ | Tubo | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF15 | Standard | 30 W | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | 400 V, 15 A, 20 Ohm, 15 V | 263 nn | - | 650 V | 30A | 45A | 2,5 V a 15 V, 15 A | 280μJ (acceso), 190μJ (spento) | 25,4 nC | 10ns/68ns | |||||||||||||||
![]() | AO4614B_101 | - | ![]() | 5938 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) | AO4614 | MOSFET (ossido di metallo) | 2 W | 8-SOIC | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1 | Canali N e P | 40 V | 6A, 5A | 30 mOhm a 6 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 10,8 nC a 10 V | 650 pF a 20 V | Porta a livello logico | ||||||||||||||||||
| AON6248 | - | ![]() | 6115 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 8-PowerSMD, conduttori piatti | AON62 | MOSFET (ossido di metallo) | 8-DFN (5x6) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 17,5 A (Ta), 53 A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 11,5 mOhm a 20 A, 10 V | 2,5 V a 250 µA | 28 nC a 10 V | ±20 V | 1543 pF a 30 V | - | 7,4 W (Ta), 69,5 W (Tc) | |||||||||||||||||
![]() | AON1605_001 | - | ![]() | 3524 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Massa | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 3-UFDFN | AON16 | MOSFET (ossido di metallo) | 3-DFN (1,0 x 0,60) | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1 | Canale P | 20 V | 700mA (Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 710 mOhm a 400 mA, 4,5 V | 1,1 V a 250 µA | 0,75 nC a 4,5 V | ±8 V | 50 pF a 10 V | - | 900 mW (Ta) | ||||||||||||||||
![]() | AOTF2918L | - | ![]() | 6616 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 Pacchetto completo | AOTF2918 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220F | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 785-1383-5 | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.000 | CanaleN | 100 V | 13A (Ta), 58A (Tc) | 10 V | 7 mOhm a 20 A, 10 V | 3,9 V a 250 µA | 53 nC a 10 V | ±20 V | 3430 pF a 50 V | - | 2,1 W (Ta), 41 W (Tc) | ||||||||||||||
![]() | AOD606 | - | ![]() | 8447 | 0.00000000 | Alpha & Omega Semiconduttori Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-5, DPak (4 derivazioni + linguatta), TO-252AD | AOD60 | MOSFET (ossido di metallo) | 1,6 W, 1,7 W | TO-252-4L | scaricamento | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | Canali N e P, scarico comune | 40 V | 8A | 33 mOhm a 8 A, 10 V | 3 V a 250 µA | 9,2 nC a 10 V | 404 pF a 20 V | Porta a livello logico |

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