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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTGF50DH120TG	-	Richiesta di offerta	2464	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP4			312 W	Standard	SP4	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico														TNP	1200 V	75A		3,7 V a 15 V, 50 A			250 µA	SÌ	3,45 nF a 25 V
MDS500L	-	Richiesta di offerta	8520	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55ST			833 W		55ST	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				9,2dB												70 V	24A								NPN		20 a 1 A, 5 V	1,03GHz~1,09GHz	-
MS2244	-	Richiesta di offerta	2557	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANS2N3499L/TR	-	Richiesta di offerta	3675	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/366	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N3499				TO-5	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	50																100 V	500 mA					10μA (ICBO)			NPN	600mV a 30mA, 300mA	100 a 150 mA, 10 V	-
44022H	-	Richiesta di offerta	4286	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGT25DA120D1G	-	Richiesta di offerta	1229	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1			140 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare														Sosta sul campo di trincea	1200 V	40A		2,1 V a 15 V, 25 A			5 mA	NO	1,8 nF a 25 V
APTC90H12SCTG	-	Richiesta di offerta	1312	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTC90	MOSFET (ossido di metallo)	250 W		SP4	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	100	4 canali N (mezzo ponte)				900 V	30A		120 mOhm a 26 A, 10 V	3,5 V a 3 mA	270nC a 10V		6800 pF a 100 V	Super giunzione
JAN2N6804	-	Richiesta di offerta	6623	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/562	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P			100 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
SD1244-09H	-	Richiesta di offerta	8554	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto				SD1244					-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTX2N6800	-	Richiesta di offerta	7282	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo		MOSFET (ossido di metallo)			TO-205AF (TO-39)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			400 V	3A (Tc)	10 V	1,1 Ohm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	34,75 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
APTGF15X120T3G	-	Richiesta di offerta	6100	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP3			140 W	Standard	SP3	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore trifase														TNP	1200 V	25A		3,7 V a 15 V, 15 A			250 µA	SÌ	1 nF a 25 V
SD1332-05H	-	Richiesta di offerta	1413	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C	Montaggio superficiale	M150			180 W		M150	-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1				17dB												15 V	30A								NPN		50 a 14 mA, 10 V	5,5GHz	2,5 dB a 1 GHz
APT20M38SVFRG	-	Richiesta di offerta	8457	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA		MOSFET (ossido di metallo)			D3 [S]	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			200 V	67A(Tc)	10 V	38 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 1 mA	225 nC a 10 V	±30 V	6120 pF a 25 V	-	370 W(Tc)
JANTXV2N6796	-	Richiesta di offerta	4329	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo		MOSFET (ossido di metallo)			TO-205AF (TO-39)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			100 V	8A (Tc)	10 V	195 mOhm a 8 A, 10 V	4 V a 250 µA	28,51 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
TAN350	-	Richiesta di offerta	1709	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	230°C (TJ)	Montaggio su telaio	55ST			1450W		55ST	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1				7dB~7,5dB												65 V	40A								NPN		10 a 1 A, 5 V	960 MHz ~ 1.215 GHz	-
2N5031	-	Richiesta di offerta	4591	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-206AF, TO-72-4 Lattina di metallo			200 mW		TO-72	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0075	1				12 dB a 400 MHz												10 V	20 mA								NPN		25 a 1 mA, 6 V	400 MHz	-
APT38N60SC6	-	Richiesta di offerta	3063	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	APT38N60	MOSFET (ossido di metallo)			D3Pak	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			600 V	38A(Tc)	10 V	99 mOhm a 18 A, 10 V	3,5 V a 1,2 mA	112 nC a 10 V	±20 V	2826 pF a 25 V	-	278 W(Tc)
42106HS	-	Richiesta di offerta	6735	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N6770T1	-	Richiesta di offerta	9036	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/543	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)		MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	12A (Tc)	10 V	500 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
APTGV50H60BT3G	-	Richiesta di offerta	8191	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-	Montaggio su telaio	SP3	APTGV50		250 W	Standard	SP3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Boost Chopper, ponte intero														TNP, Fermata ai campi di trincea	600 V	65A		2,45 V a 15 V, 50 A			250 µA	SÌ	2,2 nF a 25 V
2304	-	Richiesta di offerta	3538	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55BT			10,2 W		55BT	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1				8dB												45 V	600mA								NPN		10 a 300 mA, 5 V	2,3GHz	-
APT70GR65B2SCD30	-	Richiesta di offerta	8906	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT70GR65		595 W		T-MAX™ [B2]	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1			433 V, 70 A, 4,3 Ohm, 15 V												TNP	650 V	134A	260A	2,4 V a 15 V, 70 A	305 nC	19ns/170ns
APTM50DAM38CTG	-	Richiesta di offerta	8160	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4		MOSFET (ossido di metallo)			SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			500 V	90A (Tc)	10 V	45 mOhm a 45 A, 10 V	5 V a 5 mA	246 nC a 10 V	±30 V	11.200 pF a 25 V	-	694 W(Tc)
JANTXV2N5014S	-	Richiesta di offerta	9524	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																900 V	200mA					10nA (ICBO)			NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
APT40SM120S	-	Richiesta di offerta	9811	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA		SiCFET (carburo di silicio)			D3Pak	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN			1200 V	41A(Tc)	20 V	100 mOhm a 20 A, 20 V	3 V a 1 mA (tip.)	130 nC a 20 V	+25 V, -10 V	2560 pF a 1000 V	-	273 W(Tc)
S200-50A	-	Richiesta di offerta	6814	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTM100DUM90G	-	Richiesta di offerta	4534	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM100	MOSFET (ossido di metallo)	1250 W		SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio)				1000 V (1 kV)	78A		105 mOhm a 39 A, 10 V	5 V a 10 mA	744nC a 10 V		20700 pF a 25 V	-
APT30M40B2VFRG	-	Richiesta di offerta	1941	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto		Foro passante	Variante TO-247-3		MOSFET (ossido di metallo)			T-MAX™ [B2]	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN			300 V	76A(Tc)	-	40 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 2,5 mA	425 nC a 10 V	-	10200 pF a 25 V	-	-
70060A	-	Richiesta di offerta	6539	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
64010H	-	Richiesta di offerta	8488	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1