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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
APTM50DAM35TG	-	Richiesta di offerta	9601	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4			MOSFET (ossido di metallo)			SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				500 V	99A(Tc)	10 V	39 mOhm a 49,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	280 nC a 10 V	±30 V	14.000 pF a 25 V	-	781W(Tc)
1035MP	-	Richiesta di offerta	2263	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55FW-1				125 W		55FW-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1					10dB~10,5dB													65 V	2,5 A					NPN		20 a 100 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
JAN2N3960	-	Richiesta di offerta	2969	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/399	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N3960			400 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	100																		12 V			10μA (ICBO)			NPN	300 mV a 3 mA, 30 mA	60 a 10 mA, 1 V	-
APTSM120AM55CT1AG	-	Richiesta di offerta	8315	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTSM120		Carburo di silicio (SiC)	470 W		SP1	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio), Schottky					1200 V (1,2 kV)	74A(Tc)		50 mOhm a 40 A, 20 V	3 V a 2 mA	272nC a 20 V		5120 pF a 1000 V	-
APTGF50DA120T1G	-	Richiesta di offerta	2374	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP1				312 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																TNP	1200 V	75A	3,7 V a 15 V, 50 A	250 µA	SÌ	3,45 nF a 25 V
MSC80205	-	Richiesta di offerta	6834	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGT75DA120D1G	-	Richiesta di offerta	7594	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1				357 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare																Sosta sul campo di trincea	1200 V	110A	2,1 V a 15 V, 75 A	4 mA	NO	5.345 nF a 25 V
APTGT75DH60TG	-	Richiesta di offerta	6433	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4				250 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico																Sosta sul campo di trincea	600 V	100A	1,9 V a 15 V, 75 A	250 µA	SÌ	4,62 nF a 25 V
MSC1450M	-	Richiesta di offerta	2065	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	250°C (TJ)	Montaggio su telaio	M216				910W		M216	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1					7dB													65 V	28A					NPN		15 a 1 A, 5 V	1,09GHz	-
APT50M80B2VRG	-	Richiesta di offerta	7542	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto	-	Foro passante	Variante TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)			T-MAX™ [B2]	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN				500 V	58A (Tc)	10 V	80 mOhm a 29 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	423 nC a 10 V	-	8797 pF a 25 V	-	-
JANTX2N2221AUB	11.8370	Richiesta di offerta	3889	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2221			500 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1																		50 V	800 mA		50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
APT8018JN	-	Richiesta di offerta	3445	Microsemi Corporation	POWER MOS IV®	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC			MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				800 V	40A (Tc)	10 V	180 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 5 mA	700 nC a 10 V	±30 V	14.000 pF a 25 V	-	690 W(Tc)
APTGF100A120T3WG	-	Richiesta di offerta	4301	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP3				657 W	Standard	SP3	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																TNP	1200 V	130A	3,7 V a 15 V, 100 A	250 µA	SÌ	6,5 nF a 25 V
2N6770T1	-	Richiesta di offerta	9247	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)	2N6770		MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				500 V	12A (Ta)	10 V	500 mOhm a 12 A, 10 V	4 V a 250 µA	120 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
75086H	-	Richiesta di offerta	2044	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
MS1003	-	Richiesta di offerta	7675	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio superficiale	M111				270 W		M111	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1					6dB													18 V	20A					NPN		10 a 5 A, 5 V	136 MHz ~ 175 MHz	-
JANTXV2N6798U	-	Richiesta di offerta	5388	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				200 V	5,5 A (TC)	10 V	420 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	42,07 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
JAN2N6798U	-	Richiesta di offerta	7447	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/557	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	18-CLCC			MOSFET (ossido di metallo)			18-ULCC (9,14x7,49)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				200 V	5,5 A (TC)	10 V	420 mOhm a 5,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	42,07 nC a 10 V	±20 V		-	800 mW (Ta), 25 W (Tc)
ARF442	-	Richiesta di offerta	3769	Microsemi Corporation	-	Tubo	Obsoleto			TO-247-3		-	-			TO-247 d.C	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1	-		-	-	-											-
APTGF200A120D3G	-	Richiesta di offerta	7636	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	Modulo D-3				1400 W	Standard	D3	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																TNP	1200 V	300 A	3,7 V a 15 V, 200 A	5 mA	NO	13 nF a 25 V
MS2356A	-	Richiesta di offerta	5099	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JAN2N5015S	-	Richiesta di offerta	1100	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/727	Massa	Obsoleto	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme	Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1																		1000 V	200mA		10nA (ICBO)			NPN		30 a 20 mA, 10 V	-
APTGV100H60T3G	-	Richiesta di offerta	1313	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP3				340 W	Standard	SP3	-		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a ponte intero																TNP, Fermata ai campi di trincea	600 V	150A	1,9 V a 15 V, 100 A	250 µA	SÌ	6,1 nF a 25 V
JANTX2N6756	-	Richiesta di offerta	9351	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/542	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				100 V	14A (Tc)	10 V	210 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	35 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
APT10M11B2VFRG	-	Richiesta di offerta	1216	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	Variante TO-247-3			MOSFET (ossido di metallo)			T-MAX™	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN				100 V	100A (Tc)	10 V	11 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 2,5 mA	450 nC a 10 V	±30 V	10.300 pF a 25 V	-	520 W(Tc)
TCS800	-	Richiesta di offerta	3058	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	230°C (TJ)	Montaggio su telaio	55SM				1944W		55SM	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1					8dB~9dB													65 V	50A					NPN		20 a 5 A, 5 V	1,03GHz	-
APTGT100DH170G	-	Richiesta di offerta	3094	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6				560 W	Standard	SP6	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico																Sosta sul campo di trincea	1700 V	150A	2,4 V a 15 V, 100 A	350 µA	NO	9 nF a 25 V
APTGF50A120T1G	-	Richiesta di offerta	5269	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP1				312 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																TNP	1200 V	75A	3,7 V a 15 V, 50 A	250 µA	SÌ	3,45 nF a 25 V
MS2266	-	Richiesta di offerta	5663	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto										-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APT30N60KC6	-	Richiesta di offerta	5661	Microsemi Corporation	CoolMOS™	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3			MOSFET (ossido di metallo)			TO-220 [K]	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN				600 V	30A (Tc)		125 mOhm a 14,5 A, 10 V	3,5 V a 960 µA	88 nC a 10 V		2267 pF a 25 V	-	219 W(Tc)