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Transistor(1315)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Figura di rumore (dB tipo @ f)
JANTX2N6249T1	-	Richiesta di offerta	9353	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/510	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)	2N6249		6 W		TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1															200 V	10A		1mA			NPN	1,5 V a 1 A, 10 A	10 a 10 A, 3 V	-
MPA201	-	Richiesta di offerta	3130	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55AU			6 W		55AU	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			13dB												22V	300mA					NPN		20 a 100 mA, 5 V	2GHz	-
MS2202	-	Richiesta di offerta	6315	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	M115			10 W		M115	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			9dB												3,5 V	250 mA					NPN		30 a 100 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
APTGT200DA170D3G	-	Richiesta di offerta	2685	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo D-3			1250 W	Standard	D3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	1700 V	400 A	2,4 V a 15 V, 200 A	5 mA	NO	17 nF a 25 V
JAN2N6249T1	-	Richiesta di offerta	3273	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/510	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)	2N6249		6 W		TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1															200 V	10A		1mA			NPN	1,5 V a 1 A, 10 A	10 a 10 A, 3 V	-
JANTXV2N6250	-	Richiesta di offerta	6490	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/510	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-3			6 W		TO-3 (TO-204AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	100															275 V	10A		1mA			NPN	1,5 V a 1,25 A, 10 A	8 a 10 A, 3 V	-
MS2828	-	Richiesta di offerta	5751	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APT10M07JVR	-	Richiesta di offerta	3254	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		100 V	225A(Tc)	10 V		4 V a 5 mA	1050 nC a 10 V	±30 V	21600 pF a 25 V	-	700 W(Tc)
2N2221AL	9.0573	Richiesta di offerta	8443	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N2221		500 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1															50 V	800 mA		50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
APTM100SKM90G	-	Richiesta di offerta	5021	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6		MOSFET (ossido di metallo)			SP6	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1000 V	78A(Tc)	10 V	105 mOhm a 39 A, 10 V	5 V a 10 mA	744 nC a 10 V	±30 V	20700 pF a 25 V	-	1250 W(Tc)
JANSR2N7389	-	Richiesta di offerta	9075	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/630	Vassoio	Obsoleto	-55°C ~ 150°C	Foro passante	TO-205AF Lattina di metallo		MOSFET (ossido di metallo)			TO-205AF (TO-39)	scaricamento		Non applicabile		EAR99	8541.29.0095	1		Canale P		100 V	6,5 A(Tc)	12V	350 mOhm a 6,5 A, 12 V	4 V a 1 mA	45 nC a 12 V	±20 V		-	25 W (Tc)
80273H	-	Richiesta di offerta	3196	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
2N5011	19.4180	Richiesta di offerta	4531	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W		TO-5AA	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	1															600 V	200mA		10nA (ICBO)			NPN	1,5 V a 5 mA, 25 mA	30 a 25 mA, 10 V	-
JANTXV2N6250T1	-	Richiesta di offerta	7701	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/510	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)	2N6250		6 W		TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1															275 V	10A		1mA			NPN	1,5 V a 1,25 A, 10 A	8 a 10 A, 3 V	-
JAN2N1016C	-	Richiesta di offerta	1659	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/102	Massa	Attivo	-65°C ~ 150°C (TJ)			2N1016		150 W		TO-82	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1															150 V	7,5 A		1mA			NPN	2,5 V a 1 A, 5 A	10 a 5 A, 4 V	-
STN1037	-	Richiesta di offerta	3906	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto									-	RoHS non conforme	Non applicabile		OBSOLETO	0000.00.0000	1
JANTXV2N7227	-	Richiesta di offerta	5528	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/592	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-254-3, TO-254AA (diritti conduttori)		MOSFET (ossido di metallo)			TO-254AA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		400 V	14A (Tc)	10 V	415 mOhm a 14 A, 10 V	4 V a 250 µA	110 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 150 W (Tc)
2N6804	-	Richiesta di offerta	2635	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		Canale P		100 V	11A(Tc)	10 V	360 mOhm a 11 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±20 V		-	4 W (Ta), 75 W (Tc)
MRF545	-	Richiesta di offerta	1076	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			3,5 W		TO-39	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	OBSOLETO	0000.00.0000	1			14dB												70 V	400mA					PNP		15 a 50 mA, 6 V	1GHz~1,4GHz	-
80270	-	Richiesta di offerta	2646	Microsemi Corporation	*	Massa	Obsoleto				-					-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTM50DAM35TG	-	Richiesta di offerta	9601	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4		MOSFET (ossido di metallo)			SP4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		500 V	99A(Tc)	10 V	39 mOhm a 49,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	280 nC a 10 V	±30 V	14.000 pF a 25 V	-	781W(Tc)
1035MP	-	Richiesta di offerta	2263	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	200°C (TJ)	Montaggio su telaio	55FW-1			125 W		55FW-1	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			10dB~10,5dB												65 V	2,5 A					NPN		20 a 100 mA, 5 V	1,025 GHz ~ 1,15 GHz	-
JAN2N3960	-	Richiesta di offerta	2969	Microsemi Corporation	Militare, MIL-PRF-19500/399	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N3960		400 mW		TO-18 (TO-206AA)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.21.0095	100															12 V			10μA (ICBO)			NPN	300 mV a 3 mA, 30 mA	60 a 10 mA, 1 V	-
APTSM120AM55CT1AG	-	Richiesta di offerta	8315	Microsemi Corporation	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTSM120	Carburo di silicio (SiC)	470 W		SP1	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (doppio), Schottky			1200 V (1,2 kV)	74A(Tc)		50 mOhm a 40 A, 20 V	3 V a 2 mA	272nC a 20 V		5120 pF a 1000 V	-
APTGF50DA120T1G	-	Richiesta di offerta	2374	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	-	Montaggio su telaio	SP1			312 W	Standard	SP1	scaricamento		1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													TNP	1200 V	75A	3,7 V a 15 V, 50 A	250 µA	SÌ	3,45 nF a 25 V
MSC80205	-	Richiesta di offerta	6834	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto									-		1 (illimitato)		OBSOLETO	0000.00.0000	1
APTGT75DA120D1G	-	Richiesta di offerta	7594	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	D1			357 W	Standard	D1	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	1200 V	110A	2,1 V a 15 V, 75 A	4 mA	NO	5.345 nF a 25 V
APTGT75DH60TG	-	Richiesta di offerta	6433	Microsemi Corporation	-	Massa	Interrotto alla SIC	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4			250 W	Standard	SP4	scaricamento	Conforme alla direttiva RoHS	1 (illimitato)		EAR99	8541.29.0095	1	Ponte asimmetrico													Sosta sul campo di trincea	600 V	100A	1,9 V a 15 V, 75 A	250 µA	SÌ	4,62 nF a 25 V
MSC1450M	-	Richiesta di offerta	2065	Microsemi Corporation	-	Massa	Obsoleto	250°C (TJ)	Montaggio su telaio	M216			910W		M216	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0075	1			7dB												65 V	28A					NPN		15 a 1 A, 5 V	1,09GHz	-
APT50M80B2VRG	-	Richiesta di offerta	7542	Microsemi Corporation	POWER MOS V®	Tubo	Obsoleto	-	Foro passante	Variante TO-247-3		MOSFET (ossido di metallo)			T-MAX™ [B2]	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN		500 V	58A (Tc)	10 V	80 mOhm a 29 A, 10 V	4 V a 2,5 mA	423 nC a 10 V	-	8797 pF a 25 V	-	-