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| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BSH111.235 | - | ![]() | 4290 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -65°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | CanaleN | 55 V | 335mA (Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 4 Ohm a 500 mA, 4,5 V | 1,3 V a 1 mA | 1 nC a 8 V | ±10 V | 40 pF a 10 V | - | 830 mW(Tc) | ||||||||||||||
![]() | PUMD15-QX | 0,0544 | ![]() | 1734 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMD15 | 200 mW | 6-TSSOP | - | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1727-PUMD15-QXTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 100mA | 1μA | 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 150 mV a 500 µA, 10 mA | 30 a 10 mA, 5 V | 230 MHz, 180 MHz | 4,7 kOhm | 4,7 kOhm | |||||||||||||||
![]() | BCP53-16.115 | 0,4800 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | BCP53 | 1 W | SOT-223 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 80 V | 1A | 100nA (ICBO) | PNP | 500mV a 50mA, 500mA | 100 a 150 mA, 2 V | 145 MHz | ||||||||||||||||
![]() | PBSS4360PASX | 0,4700 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 3-UDFN | PBSS4360 | 600 mW | DFN2020D-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 60 V | 3A | 100nA (ICBO) | NPN | 325 mV a 300 mA, 3 A | 200 a 1 A, 5 V | 160 MHz | ||||||||||||||||
| BCX71K,215 | 0,2000 | ![]() | 486 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BCX71 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 45 V | 100 mA | 20nA (ICBO) | PNP | 550 mV a 1,25 mA, 50 mA | 380 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | BUK7Y4R4-40EX | 1.2600 | ![]() | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | BUK7Y4 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK56, Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 40 V | 100A (Tc) | 10 V | 4,4 mOhm a 25 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 39 nC a 10 V | ±20 V | 2781 pF a 25 V | - | 147 W(Tc) | ||||||||||||
| PDTB113ET,215 | 0,3200 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTB113 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 500nA | PNP - Pre-polarizzato | 300 mV a 2,5 mA, 50 mA | 33 a 50 mA, 5 V | 1 kOhm | 1 kOhm | |||||||||||||||||
![]() | BC807-25W/ZLF | - | ![]() | 7117 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | ||||||||||||||||||||||||||
![]() | PUMH11/ZLF | - | ![]() | 6108 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMH11 | 300 mW | 6-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100mA | 1μA | 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) | 150 mV a 500 µA, 10 mA | 30 a 5 mA, 5 V | 230 MHz | 10kOhm | 10kOhm | |||||||||||||||
![]() | PMZ200UNEYL | 0,4000 | ![]() | 13 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-101, SOT-883 | PMZ200 | MOSFET (ossido di metallo) | SOT-883 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 10.000 | CanaleN | 30 V | 1,4A(Ta) | 1,5 V, 4,5 V | 250 mOhm a 1,4 A, 4,5 V | 950 mV a 250 µA | 2,7 nC a 4,5 V | ±8 V | 89 pF a 15 V | - | 350 mW (Ta), 6,25 W (Tc) | ||||||||||||
![]() | BCX56-16-QX | 0,1242 | ![]() | 4251 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 500 mW | SOT-89 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1727-BCX56-16-QXTR | EAR99 | 8541.21.0075 | 1.000 | 80 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV a 50mA, 500mA | 100 a 150 mA, 2 V | 180 MHz | |||||||||||||||||
![]() | PSMN1R0-40YSHX | 3.8400 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-1023, 4-LFPAK | PSMN1R0 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK56; Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 40 V | 290A (Ta) | 10 V | 1 mOhm a 25 A, 10 V | 3,6 V a 1 mA | 122 nC a 10 V | ±20 V | 9433 pF a 20 V | Diodo Schottky (corpo) | 333 W (Ta) | ||||||||||||
| PMBTA45.215 | 0,4500 | ![]() | 118 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMBTA45 | 300 mW | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 500 V | 150 mA | 100 nA | NPN | 90mV a 6mA, 50mA | 50 a 50 mA, 10 V | 35 MHz | |||||||||||||||||
![]() | PUMD6.135 | 0,2900 | ![]() | 10 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMD6 | 300 mW | 6-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | 50 V | 100mA | 1μA | 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 100 mV a 250 µA, 5 mA | 200 a 1 A, 5 V | - | 4,7 kOhm | - | |||||||||||||||
![]() | PEMF21.115 | - | ![]() | 9923 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | Montaggio superficiale | SOT-563, SOT-666 | PEMF21 | 300 mW | SOT-666 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 4.000 | 50 V, 12 V | 100 mA, 500 mA | 1μA | 1 NPN prepolarizzato, 1 PNP | 300 mV a 500 µA, 10 mA / 250 mV a 10 mA, 200 mA | 30 a 5 mA, 5 V / 200 a 10 mA, 2 V | 280 MHz | 10kOhm | 10kOhm | |||||||||||||||
![]() | PBLS6005D,115 | 0,1012 | ![]() | 3967 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-74, SOT-457 | PBLS6005 | 600 mW | 6-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V, 60 V | 100 mA, 700 mA | 1 µA, 100 nA | 1 NPN prepolarizzato, 1 PNP | 150 mV a 500 µA, 10 mA / 340 mV a 100 mA, 1 A | 80 a 5 mA, 5 V / 150 a 500 mA, 5 V | 185 MHz | 47kOhm | 47kOhm | |||||||||||||||
![]() | PSMN5R3-25MLDX | 0,7900 | ![]() | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni) | PSMN5R3 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK33 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 25 V | 70A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5,9 mOhm a 15 A, 10 V | 2,2 V a 1 mA | 12,7 nC a 10 V | ±20 V | 858 pF a 12 V | Diodo Schottky (corpo) | 51 W (Tc) | ||||||||||||
| BSH105.235 | 0,3700 | ![]() | 81 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSH105 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | CanaleN | 20 V | 1,05A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 200 mOhm a 600 mA, 4,5 V | 570 mV a 1 mA (tip.) | 3,9 nC a 4,5 V | ±8 V | 152 pF a 16 V | - | 417 mW (Ta) | |||||||||||||
![]() | BC847BM,315 | 0,2400 | ![]() | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-101, SOT-883 | BC847 | 250 mW | SOT-883 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 400 mV a 5 mA, 100 mA | 200 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||
![]() | BSR41-QX | 0,2765 | ![]() | 5373 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 1,35 W | SOT-89 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1727-BSR41-QXTR | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV a 50mA, 500mA | 100 a 100 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||||
![]() | NX7002BKSX | 0,3900 | ![]() | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NX7002 | MOSFET (ossido di metallo) | 6-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 270mA (Ta) | 5 V, 10 V | 2,8 Ohm a 200 mA, 10 V | 2,1 V a 250 µA | 1 nC a 10 V | ±20 V | 23,6 pF a 10 V | - | 310 mW (Ta), 1,67 W (Tc) | ||||||||||||
![]() | BUK9Y8R7-60E,115 | 1.3600 | ![]() | 9025 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | BUK9Y8 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK56, Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 60 V | 86A(Tc) | 5 V, 10 V | 7,5 mOhm a 20 A, 10 V | 2,1 V a 1 mA | 31 nC a 5 V | ±10 V | 4570 pF a 25 V | - | 147 W(Tc) | ||||||||||||
![]() | PSMN013-80YS,115 | 1.1200 | ![]() | 5234 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | PSMN013 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK56, Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 80 V | 60A (Tc) | 10 V | 12,9 mOhm a 15 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 37 nC a 10 V | ±20 V | 2420 pF a 40 V | - | 106 W(Tc) | ||||||||||||
![]() | BUK7Y7R6-40EX | 1.2000 | ![]() | 9445 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | BUK7Y7 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK56, Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 40 V | 79A(Tc) | 10 V | 7,6 mOhm a 20 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 26,2 nC a 10 V | ±20 V | 1650 pF a 25 V | - | 94,3 W(Tc) | ||||||||||||
![]() | PQMD16Z | 0,0562 | ![]() | 7038 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 6-XFDFN Tampone esposto | PQMD16 | 350 mW | DFN1010B-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 V | 100mA | 1μA | 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 150 mV a 500 µA, 10 mA | 80 a 5 mA, 5 V | 230 MHz, 180 MHz | 22kOhm | 47kOhm | |||||||||||||||
![]() | PBSS5140U,115 | 0,4400 | ![]() | 51 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | PBSS5140 | 350 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 1A | 100nA (ICBO) | PNP | 500 mV a 100 mA, 1 A | 300 a 100 mA, 5 V | 150 MHz | ||||||||||||||||
![]() | PSMN2R5-60PLQ | 4.0700 | ![]() | 3374 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Tubo | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | PSMN2R5 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 60 V | 150A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,6 mOhm a 25 A, 10 V | 2,1 V a 1 mA | 223 nC a 10 V | ±20 V | - | 349 W(Tc) | |||||||||||||
| BSS138P,215 | 0,2600 | ![]() | 5 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TA) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSS138 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 360mA(Ta) | 10 V | 1,6 Ohm a 300 mA, 10 V | 1,5 V a 250 µA | 0,8 nC a 4,5 V | ±20 V | 50 pF a 10 V | - | 350 mW (Ta), 1,14 W (Tc) | |||||||||||||
| PMV33UPE,215 | 0,5700 | ![]() | 877 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PMV33 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | Canale P | 20 V | 4,4A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 36 mOhm a 3 A, 4,5 V | 950 mV a 250 µA | 22,1 nC a 4,5 V | ±8 V | 1820 pF a 10 V | - | 490 mW (Ta) | |||||||||||||
![]() | BUK9511-55A,127 | - | ![]() | 1328 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | TrenchMOS™ | Tubo | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Foro passante | TO-220-3 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-220AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 50 | CanaleN | 55 V | 75A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 10 mOhm a 25 A, 10 V | 2 V a 1 mA | ±10 V | 4230 pF a 25 V | - | 166 W(Tc) |

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