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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Tipo FET Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
BSH111,235 Nexperia USA Inc. BSH111.235 -
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ECAD 4290 0.00000000 Nexperia USA Inc. TrenchMOS™ Nastro e bobina (TR) Obsoleto -65°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-236AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN 55 V 335mA (Ta) 1,8 V, 4,5 V 4 Ohm a 500 mA, 4,5 V 1,3 V a 1 mA 1 nC a 8 V ±10 V 40 pF a 10 V - 830 mW(Tc)
PUMD15-QX Nexperia USA Inc. PUMD15-QX 0,0544
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ECAD 1734 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD15 200 mW 6-TSSOP - Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1727-PUMD15-QXTR EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100mA 1μA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 150 mV a 500 µA, 10 mA 30 a 10 mA, 5 V 230 MHz, 180 MHz 4,7 kOhm 4,7 kOhm
BCP53-16,115 Nexperia USA Inc. BCP53-16.115 0,4800
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ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-261-4, TO-261AA BCP53 1 W SOT-223 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 80 V 1A 100nA (ICBO) PNP 500mV a 50mA, 500mA 100 a 150 mA, 2 V 145 MHz
PBSS4360PASX Nexperia USA Inc. PBSS4360PASX 0,4700
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ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 175°C (TJ) Montaggio superficiale Piazzola esposta 3-UDFN PBSS4360 600 mW DFN2020D-3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 60 V 3A 100nA (ICBO) NPN 325 mV a 300 mA, 3 A 200 a 1 A, 5 V 160 MHz
BCX71K,215 Nexperia USA Inc. BCX71K,215 0,2000
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ECAD 486 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BCX71 250 mW TO-236AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 45 V 100 mA 20nA (ICBO) PNP 550 mV a 1,25 mA, 50 mA 380 a 2 mA, 5 V 100 MHz
BUK7Y4R4-40EX Nexperia USA Inc. BUK7Y4R4-40EX 1.2600
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ECAD 4 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SC-100, SOT-669 BUK7Y4 MOSFET (ossido di metallo) LFPAK56, Potenza-SO8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 100A (Tc) 10 V 4,4 mOhm a 25 A, 10 V 4 V a 1 mA 39 nC a 10 V ±20 V 2781 pF a 25 V - 147 W(Tc)
PDTB113ET,215 Nexperia USA Inc. PDTB113ET,215 0,3200
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ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PDTB113 250 mW TO-236AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V 500 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 33 a 50 mA, 5 V 1 kOhm 1 kOhm
BC807-25W/ZLF Nexperia USA Inc. BC807-25W/ZLF -
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ECAD 7117 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000
PUMH11/ZLF Nexperia USA Inc. PUMH11/ZLF -
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ECAD 6108 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Massa Obsoleto Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMH11 300 mW 6-TSSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato OBSOLETO 0000.00.0000 1 50 V 100mA 1μA 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 150 mV a 500 µA, 10 mA 30 a 5 mA, 5 V 230 MHz 10kOhm 10kOhm
PMZ200UNEYL Nexperia USA Inc. PMZ200UNEYL 0,4000
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ECAD 13 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-101, SOT-883 PMZ200 MOSFET (ossido di metallo) SOT-883 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 10.000 CanaleN 30 V 1,4A(Ta) 1,5 V, 4,5 V 250 mOhm a 1,4 A, 4,5 V 950 mV a 250 µA 2,7 nC a 4,5 V ±8 V 89 pF a 15 V - 350 mW (Ta), 6,25 W (Tc)
BCX56-16-QX Nexperia USA Inc. BCX56-16-QX 0,1242
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ECAD 4251 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 500 mW SOT-89 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1727-BCX56-16-QXTR EAR99 8541.21.0075 1.000 80 V 1A 100nA (ICBO) NPN 500mV a 50mA, 500mA 100 a 150 mA, 2 V 180 MHz
PSMN1R0-40YSHX Nexperia USA Inc. PSMN1R0-40YSHX 3.8400
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ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-1023, 4-LFPAK PSMN1R0 MOSFET (ossido di metallo) LFPAK56; Potenza-SO8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 290A (Ta) 10 V 1 mOhm a 25 A, 10 V 3,6 V a 1 mA 122 nC a 10 V ±20 V 9433 pF a 20 V Diodo Schottky (corpo) 333 W (Ta)
PMBTA45,215 Nexperia USA Inc. PMBTA45.215 0,4500
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ECAD 118 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMBTA45 300 mW TO-236AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 500 V 150 mA 100 nA NPN 90mV a 6mA, 50mA 50 a 50 mA, 10 V 35 MHz
PUMD6,135 Nexperia USA Inc. PUMD6.135 0,2900
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ECAD 10 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 PUMD6 300 mW 6-TSSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 50 V 100mA 1μA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 100 mV a 250 µA, 5 mA 200 a 1 A, 5 V - 4,7 kOhm -
PEMF21,115 Nexperia USA Inc. PEMF21.115 -
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ECAD 9923 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Nastro e bobina (TR) Obsoleto Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 PEMF21 300 mW SOT-666 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 4.000 50 V, 12 V 100 mA, 500 mA 1μA 1 NPN prepolarizzato, 1 PNP 300 mV a 500 µA, 10 mA / 250 mV a 10 mA, 200 mA 30 a 5 mA, 5 V / 200 a 10 mA, 2 V 280 MHz 10kOhm 10kOhm
PBLS6005D,115 Nexperia USA Inc. PBLS6005D,115 0,1012
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ECAD 3967 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-74, SOT-457 PBLS6005 600 mW 6-TSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 50 V, 60 V 100 mA, 700 mA 1 µA, 100 nA 1 NPN prepolarizzato, 1 PNP 150 mV a 500 µA, 10 mA / 340 mV a 100 mA, 1 A 80 a 5 mA, 5 V / 150 a 500 mA, 5 V 185 MHz 47kOhm 47kOhm
PSMN5R3-25MLDX Nexperia USA Inc. PSMN5R3-25MLDX 0,7900
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ECAD 1 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni) PSMN5R3 MOSFET (ossido di metallo) LFPAK33 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 25 V 70A (Tc) 4,5 V, 10 V 5,9 mOhm a 15 A, 10 V 2,2 V a 1 mA 12,7 nC a 10 V ±20 V 858 pF a 12 V Diodo Schottky (corpo) 51 W (Tc)
BSH105,235 Nexperia USA Inc. BSH105.235 0,3700
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ECAD 81 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSH105 MOSFET (ossido di metallo) TO-236AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 10.000 CanaleN 20 V 1,05A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 200 mOhm a 600 mA, 4,5 V 570 mV a 1 mA (tip.) 3,9 nC a 4,5 V ±8 V 152 pF a 16 V - 417 mW (Ta)
BC847BM,315 Nexperia USA Inc. BC847BM,315 0,2400
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ECAD 3 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-101, SOT-883 BC847 250 mW SOT-883 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 10.000 45 V 100 mA 15nA (ICBO) NPN 400 mV a 5 mA, 100 mA 200 a 2 mA, 5 V 100 MHz
BSR41-QX Nexperia USA Inc. BSR41-QX 0,2765
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ECAD 5373 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 1,35 W SOT-89 scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1727-BSR41-QXTR EAR99 8541.29.0075 1.000 60 V 1A 100nA (ICBO) NPN 500mV a 50mA, 500mA 100 a 100 mA, 5 V 100 MHz
NX7002BKSX Nexperia USA Inc. NX7002BKSX 0,3900
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ECAD 2 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 NX7002 MOSFET (ossido di metallo) 6-TSSOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 60 V 270mA (Ta) 5 V, 10 V 2,8 Ohm a 200 mA, 10 V 2,1 V a 250 µA 1 nC a 10 V ±20 V 23,6 pF a 10 V - 310 mW (Ta), 1,67 W (Tc)
BUK9Y8R7-60E,115 Nexperia USA Inc. BUK9Y8R7-60E,115 1.3600
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ECAD 9025 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SC-100, SOT-669 BUK9Y8 MOSFET (ossido di metallo) LFPAK56, Potenza-SO8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 60 V 86A(Tc) 5 V, 10 V 7,5 mOhm a 20 A, 10 V 2,1 V a 1 mA 31 nC a 5 V ±10 V 4570 pF a 25 V - 147 W(Tc)
PSMN013-80YS,115 Nexperia USA Inc. PSMN013-80YS,115 1.1200
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ECAD 5234 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SC-100, SOT-669 PSMN013 MOSFET (ossido di metallo) LFPAK56, Potenza-SO8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 80 V 60A (Tc) 10 V 12,9 mOhm a 15 A, 10 V 4 V a 1 mA 37 nC a 10 V ±20 V 2420 pF a 40 V - 106 W(Tc)
BUK7Y7R6-40EX Nexperia USA Inc. BUK7Y7R6-40EX 1.2000
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ECAD 9445 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale SC-100, SOT-669 BUK7Y7 MOSFET (ossido di metallo) LFPAK56, Potenza-SO8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.500 CanaleN 40 V 79A(Tc) 10 V 7,6 mOhm a 20 A, 10 V 4 V a 1 mA 26,2 nC a 10 V ±20 V 1650 pF a 25 V - 94,3 W(Tc)
PQMD16Z Nexperia USA Inc. PQMD16Z 0,0562
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ECAD 7038 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale 6-XFDFN Tampone esposto PQMD16 350 mW DFN1010B-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 5.000 50 V 100mA 1μA 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) 150 mV a 500 µA, 10 mA 80 a 5 mA, 5 V 230 MHz, 180 MHz 22kOhm 47kOhm
PBSS5140U,115 Nexperia USA Inc. PBSS5140U,115 0,4400
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ECAD 51 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automobilistico, AEC-Q100 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 PBSS5140 350 mW SOT-323 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 1A 100nA (ICBO) PNP 500 mV a 100 mA, 1 A 300 a 100 mA, 5 V 150 MHz
PSMN2R5-60PLQ Nexperia USA Inc. PSMN2R5-60PLQ 4.0700
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ECAD 3374 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Tubo Attivo -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 PSMN2R5 MOSFET (ossido di metallo) TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 60 V 150A (Tc) 4,5 V, 10 V 2,6 mOhm a 25 A, 10 V 2,1 V a 1 mA 223 nC a 10 V ±20 V - 349 W(Tc)
BSS138P,215 Nexperia USA Inc. BSS138P,215 0,2600
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ECAD 5 0.00000000 Nexperia USA Inc. Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TA) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 BSS138 MOSFET (ossido di metallo) TO-236AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 CanaleN 60 V 360mA(Ta) 10 V 1,6 Ohm a 300 mA, 10 V 1,5 V a 250 µA 0,8 nC a 4,5 V ±20 V 50 pF a 10 V - 350 mW (Ta), 1,14 W (Tc)
PMV33UPE,215 Nexperia USA Inc. PMV33UPE,215 0,5700
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ECAD 877 0.00000000 Nexperia USA Inc. - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 PMV33 MOSFET (ossido di metallo) TO-236AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 Canale P 20 V 4,4A(Ta) 1,8 V, 4,5 V 36 mOhm a 3 A, 4,5 V 950 mV a 250 µA 22,1 nC a 4,5 V ±8 V 1820 pF a 10 V - 490 mW (Ta)
BUK9511-55A,127 Nexperia USA Inc. BUK9511-55A,127 -
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ECAD 1328 0.00000000 Nexperia USA Inc. TrenchMOS™ Tubo Obsoleto -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-220-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 50 CanaleN 55 V 75A (Tc) 4,5 V, 10 V 10 mOhm a 25 A, 10 V 2 V a 1 mA ±10 V 4230 pF a 25 V - 166 W(Tc)
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock