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Transistor(4628)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
BUK7219-55A,118	0,6449	Richiesta di offerta	3759	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	BUK7219	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	55 V	55A (Tc)	10 V	19 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA		±20 V	2108 pF a 25 V	-	114 W(Tc)
PUMH9/ZL115	0,0300	Richiesta di offerta	5533	Nexperia USA Inc.	*	Massa	Attivo								scaricamento	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000
BUK9K6R2-40E,115	1.8700	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	BUK9K6	MOSFET (ossido di metallo)	68W	LFPAK56D	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	2 canali N (doppio)		40 V	40A		6 mOhm a 25 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	35,4 nC a 10 V		3281pF a 25V	Porta a livello logico
PXP6R1-30QLJ	1.0500	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		MOSFET (ossido di metallo)		MLPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	30 V	13,5 A (Ta), 71,1 A (Tc)	4,5 V, 10 V	6,1 mOhm a 13,4 A, 10 V	2 V a 250 µA	116,7 nC a 10 V	±25 V	3800 pF a 15 V	-	1,8 W (Ta), 50 W (Tc)
BC857C,215	0,1400	Richiesta di offerta	308	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BC857		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100 mA	15nA (ICBO)	PNP	650 mV a 5 mA, 100 mA	420 a 2 mA, 5 V	100 MHz
PSMN6R1-25MLDX	0,7400	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni)	PSMN6R1	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	25 V	60A (Tc)	4,5 V, 10 V	7,24 mOhm a 15 A, 10 V	2,2 V a 1 mA	10,7 nC a 10 V	±20 V	702 pF a 12 V	Diodo Schottky (corpo)	42 W (Tc)
BC56-16PA-QX	0,0923	Richiesta di offerta	6899	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-PowerUDFN			420 mW	3-HUSON (2x2)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1727-BC56-16PA-QXTR	EAR99	8541.21.0095	3.000													80 V	1A	100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	180 MHz
BUK9D23-40EX	0,4200	Richiesta di offerta	11	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 6-UDFN	BUK9D23	MOSFET (ossido di metallo)		DFN2020MD-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	8A (Ta)	4,5 V, 10 V	23 mOhm a 8 A, 10 V	2,1 V a 250 µA	17 nC a 10 V	±15 V	637 pF a 20 V	-	15 W (Tc)
BUK9M35-80EX	0,9200	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni)	BUK9M35	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK33	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	80 V	26A (Tc)	5 V	31 mOhm a 5 A, 10 V	2,1 V a 1 mA	13,5 nC a 5 V	±10 V	1804 pF a 25 V	-	62 W (Tc)
PDTD143EQAZ	0,0579	Richiesta di offerta	1571	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	3-XDFN Tampone esposto	PDTD143		325 mW	DFN1010D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	934069267147	EAR99	8541.21.0075	5.000													50 V	500 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	100 mV a 2,5 mA, 50 mA	60 a 50 mA, 5 V	210 MHz	4,7 kOhm	4,7 kOhm
PHPT60415PYX	0,8100	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PHPT60415		1,5 W	LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.500													40 V	15A	100 nA	PNP	850 mV a 1,5 A, 15 A	200 a 500 mA, 2 V	80 MHz
PBLS2001D,115	0,4600	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-74, SOT-457	PBLS2001		600 mW	6-TSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V, 20 V	100 mA, 1 A	1 µA, 100 nA	1 NPN prepolarizzato, 1 PNP	150 mV a 500 µA, 10 mA / 280 mV a 100 mA, 1 A	30 a 20 mA, 5 V / 220 a 500 mA, 2 V	185 MHz	2,2 kOhm	2,2 kOhm
PH2925U,115	1.3800	Richiesta di offerta	8	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	PH2925	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	25 V	100A (Tc)	4,5 V	3 mOhm a 25 A, 4,5 V	950 mV a 1 mA	92 nC a 4,5 V	±10 V	6150 pF a 10 V	-	62,5 W(Tc)
PUMD13/ZLF	-	Richiesta di offerta	6383	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD13		300 mW	6-TSSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		OBSOLETO	0000.00.0000	1													50 V	100mA	1μA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	100 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 10 mA, 5 V	230 MHz, 180 MHz	4,7 kOhm	47kOhm
BCX54-16.115	0,4700	Richiesta di offerta	22	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	BCX54		1,25 W	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000													45 V	1A	100nA (ICBO)	NPN	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	180 MHz
PBHV3160ZX	0,5500	Richiesta di offerta	53	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	PBHV3160		650 mW	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1.000													600 V	100 mA	100 nA	PNP	250 mV a 6 mA, 30 mA	70 a 10 mA, 10 V	38 MHz
GAN190-650FBEZ	4.4900	Richiesta di offerta	2	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale, fianco bagnabile	8-PowerVDFN	GAN190	GaNFET (nitruro di gallio)		DFN5060-5	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	650 V	11,5A(Ta)	6V	190 mOhm a 3,9 A, 6 V	2,5 V a 12,2 mA	2,8 nC a 6 V	+7 V, -1,4 V	96 pF a 400 V	-	125 W (Ta)
BUK7K6R8-40E,115	1.7300	Richiesta di offerta	9	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56	BUK7K6	MOSFET (ossido di metallo)	64 W	LFPAK56D	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500	2 canali N (doppio)		40 V	40A		6,8 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 1 mA	28,9 nC a 10 V		1947 pF a 25 V	-
BUK7Y3R0-40HX	2.0500	Richiesta di offerta	4	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	BUK7Y3	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	40 V	120A (Ta)	10 V	3 mOhm a 25 A, 10 V	3,6 V a 1 mA	59 nC a 10 V	+20 V, -10 V	5449 pF a 25 V	-	172 W (Ta)
PMDXB550UNEZ	0,4200	Richiesta di offerta	31	Nexperia USA Inc.	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-XFDFN Tampone esposto	PMDXB550	MOSFET (ossido di metallo)	285 mW	DFN1010B-6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	5.000	2 canali N (doppio)		30 V	590mA		670 mOhm a 590 mA, 4,5 V	950 mV a 250 µA	1,05 nC a 4,5 V		30,3 pF a 15 V	-
PMBT5551-QR	0,3500	Richiesta di offerta	3	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3			250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													160 V	300 mA	50nA (ICBO)	NPN	200 mV a 5 mA, 50 mA	80 a 10 mA, 5 V	300 MHz
BFS20.215	0,4200	Richiesta di offerta	22	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BFS20		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													20 V	25 mA	100nA (ICBO)	NPN	-	40 a 7 mA, 10 V	450 MHz
BUK6211-75C,118-NEX	-	Richiesta di offerta	1607	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63		MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1		CanaleN	75 V	74A (Ta)		11 mOhm a 25 A, 10 V	2,8 V a 1 mA	81 nC a 10 V	±16V	5251 pF a 25 V	-	158 W (Ta)
BUK9620-55A,118	-	Richiesta di offerta	4948	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800		CanaleN	55 V	54A(Tc)	4,5 V, 10 V	18 mOhm a 25 A, 10 V	2 V a 1 mA		±10 V	2210 pF a 25 V	-	118 W(Tc)
BSH111.235	-	Richiesta di offerta	4290	Nexperia USA Inc.	TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3		MOSFET (ossido di metallo)		TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000		CanaleN	55 V	335mA (Ta)	1,8 V, 4,5 V	4 Ohm a 500 mA, 4,5 V	1,3 V a 1 mA	1 nC a 8 V	±10 V	40 pF a 10 V	-	830 mW(Tc)
PUMD15-QX	0,0544	Richiesta di offerta	1734	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	PUMD15		200 mW	6-TSSOP	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	1727-PUMD15-QXTR	EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100mA	1μA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	150 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 10 mA, 5 V	230 MHz, 180 MHz	4,7 kOhm	4,7 kOhm
BCP53-16.115	0,4800	Richiesta di offerta	1	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q100	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	BCP53		1 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1.000													80 V	1A	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 50mA, 500mA	100 a 150 mA, 2 V	145 MHz
PBSS4360PASX	0,4700	Richiesta di offerta	4	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	Piazzola esposta 3-UDFN	PBSS4360		600 mW	DFN2020D-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													60 V	3A	100nA (ICBO)	NPN	325 mV a 300 mA, 3 A	200 a 1 A, 5 V	160 MHz
BCX71K,215	0,2000	Richiesta di offerta	486	Nexperia USA Inc.	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCX71		250 mW	TO-236AB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													45 V	100 mA	20nA (ICBO)	PNP	550 mV a 1,25 mA, 50 mA	380 a 2 mA, 5 V	100 MHz
BUK7Y4R4-40EX	1.2600	Richiesta di offerta	4	Nexperia USA Inc.	Automotive, AEC-Q100, TrenchMOS™	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-100, SOT-669	BUK7Y4	MOSFET (ossido di metallo)		LFPAK56, Potenza-SO8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.500		CanaleN	40 V	100A (Tc)	10 V	4,4 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	39 nC a 10 V	±20 V	2781 pF a 25 V	-	147 W(Tc)