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Transistor(4628)
| Immagine | Numero del prodotto | Prezzi (USD) | Quantità | ECAD | Quantità disponibile | Peso(Kg) | Mfr | Serie | Pacchetto | Stato del prodotto | Temperatura operativa | Tipo di montaggio | Pacchetto/custodia | Numero del prodotto base | Tecnologia | Potenza: max | Pacchetto dispositivo del fornitore | Scheda dati | Stato RoHS | Livello di sensibilità all'umidità (MSL) | Stato REACH | Altri nomi | ECCN | HTSUS | Pacchetto standard | Configurazione | Tipo FET | Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) | Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C | Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) | Rds attivo (max) @ Id, Vgs | Vgs(esimo) (Max) @ Id | Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs | Vg (massimo) | Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | Funzionalità FET | Dissipazione di potenza (massima) | Tensione - Guasto collettore emettitore (max) | Corrente - Collettore (Ic) (Max) | Corrente - Interruzione collettore (max) | Tipo di transistor | Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic | Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce | Frequenza - Transizione | Resistore - Base (R1) | Resistore - Base emettitore (R2) |
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | PDTB143XUF | 0,0503 |  | 4086 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | PDTB143 | 300 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 50 V | 500 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | 100 mV a 2,5 mA, 50 mA | 70 a 50 mA, 5 V | 140 MHz | 4,7 kOhm | 10 kOhm | ||||||||||||||||
 | BUK9620-55A,118 | - | | 4948 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB | MOSFET (ossido di metallo) | D2PAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 800 | CanaleN | 55 V | 54A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 18 mOhm a 25 A, 10 V | 2 V a 1 mA | ±10 V | 2210 pF a 25 V | - | 118 W(Tc) | |||||||||||||||
 | BUK7Y3R0-40HX | 2.0500 | | 4 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | BUK7Y3 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK56, Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 40 V | 120A (Ta) | 10 V | 3 mOhm a 25 A, 10 V | 3,6 V a 1 mA | 59 nC a 10 V | +20 V, -10 V | 5449 pF a 25 V | - | 172 W (Ta) | |||||||||||||
 | BUK6211-75C,118-NEX | - | | 1607 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Massa | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | MOSFET (ossido di metallo) | DPAK | - | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | RAGGIUNGERE Interessato | EAR99 | 0000.00.0000 | 1 | CanaleN | 75 V | 74A (Ta) | 11 mOhm a 25 A, 10 V | 2,8 V a 1 mA | 81 nC a 10 V | ±16V | 5251 pF a 25 V | - | 158 W (Ta) | |||||||||||||||
 | BC847BM,315 | 0,2400 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-101, SOT-883 | BC847 | 250 mW | SOT-883 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 45 V | 100 mA | 15nA (ICBO) | NPN | 400 mV a 5 mA, 100 mA | 200 a 2 mA, 5 V | 100 MHz | |||||||||||||||||
 | PMDXB550UNEZ | 0,4200 | | 31 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-XFDFN Tampone esposto | PMDXB550 | MOSFET (ossido di metallo) | 285 mW | DFN1010B-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 5.000 | 2 canali N (doppio) | 30 V | 590mA | 670 mOhm a 590 mA, 4,5 V | 950 mV a 250 µA | 1,05 nC a 4,5 V | 30,3 pF a 15 V | - | |||||||||||||||
 | NX7002BKSX | 0,3900 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | NX7002 | MOSFET (ossido di metallo) | 6-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 60 V | 270mA (Ta) | 5 V, 10 V | 2,8 Ohm a 200 mA, 10 V | 2,1 V a 250 µA | 1 nC a 10 V | ±20 V | 23,6 pF a 10 V | - | 310 mW (Ta), 1,67 W (Tc) | |||||||||||||
| BUK9Y8R7-60E,115 | 1.3600 | | 9025 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | BUK9Y8 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK56, Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 60 V | 86A(Tc) | 5 V, 10 V | 7,5 mOhm a 20 A, 10 V | 2,1 V a 1 mA | 31 nC a 5 V | ±10 V | 4570 pF a 25 V | - | 147 W(Tc) | |||||||||||||
 | PSMN5R3-25MLDX | 0,7900 | | 1 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-1210, 8-LFPAK33 (5 derivazioni) | PSMN5R3 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK33 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 25 V | 70A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 5,9 mOhm a 15 A, 10 V | 2,2 V a 1 mA | 12,7 nC a 10 V | ±20 V | 858 pF a 12 V | Diodo Schottky (corpo) | 51 W (Tc) | |||||||||||||
 | BSR41-QX | 0,2765 | | 5373 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-243AA | 1,35 W | SOT-89 | scaricamento | Conformità ROHS3 | REACH Inalterato | 1727-BSR41-QXTR | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.000 | 60 V | 1A | 100nA (ICBO) | NPN | 500mV a 50mA, 500mA | 100 a 100 mA, 5 V | 100 MHz | ||||||||||||||||||
 | PMBT5551-QR | 0,3500 | | 3 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 160 V | 300 mA | 50nA (ICBO) | NPN | 200 mV a 5 mA, 50 mA | 80 a 10 mA, 5 V | 300 MHz | ||||||||||||||||||
| BFS20.215 | 0,4200 | | 22 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BFS20 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 20 V | 25 mA | 100nA (ICBO) | NPN | - | 40 a 7 mA, 10 V | 450 MHz | |||||||||||||||||
 | BUK7K6R8-40E,115 | 1.7300 | | 9 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SOT-1205, 8-LFPAK56 | BUK7K6 | MOSFET (ossido di metallo) | 64W | LFPAK56D | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | 2 canali N (doppio) | 40 V | 40A | 6,8 mOhm a 20 A, 10 V | 4 V a 1 mA | 28,9 nC a 10 V | 1947 pF a 25 V | - | |||||||||||||||
 | GAN190-650FBEZ | 4.4900 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale, fianco bagnabile | 8-PowerVDFN | GAN190 | GaNFET (nitruro di gallio) | DFN5060-5 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 3 (168 ore) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 650 V | 11,5A(Ta) | 6V | 190 mOhm a 3,9 A, 6 V | 2,5 V a 12,2 mA | 2,8 nC a 6 V | +7 V, -1,4 V | 96 pF a 400 V | - | 125 W (Ta) | |||||||||||||
 | PBLS6005D,115 | 0,1012 | | 3967 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-74, SOT-457 | PBLS6005 | 600 mW | 6-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V, 60 V | 100 mA, 700 mA | 1 µA, 100 nA | 1 NPN prepolarizzato, 1 PNP | 150 mV a 500 µA, 10 mA / 340 mV a 100 mA, 1 A | 80 a 5 mA, 5 V / 150 a 500 mA, 5 V | 185 MHz | 47kOhm | 47kOhm | ||||||||||||||||
| NHDTA124ETVL | 0,2200 | | 40 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | NHDTA124 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 10.000 | 80 V | 100 mA | 100 nA | PNP - Pre-polarizzato | 100 mV a 500 µA, 10 mA | 70 a 10 mA, 5 V | 150 MHz | 22 kOhm | 22 kOhm | ||||||||||||||||
 | BUK9D23-40EX | 0,4200 | | 11 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | Piazzola esposta 6-UDFN | BUK9D23 | MOSFET (ossido di metallo) | DFN2020MD-6 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 3.000 | CanaleN | 40 V | 8A (Ta) | 4,5 V, 10 V | 23 mOhm a 8 A, 10 V | 2,1 V a 250 µA | 17 nC a 10 V | ±15 V | 637 pF a 20 V | - | 15 W (Tc) | |||||||||||||
| BSH105.235 | 0,3700 | | 81 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | BSH105 | MOSFET (ossido di metallo) | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 10.000 | CanaleN | 20 V | 1,05A(Ta) | 1,8 V, 4,5 V | 200 mOhm a 600 mA, 4,5 V | 570 mV a 1 mA (tip.) | 3,9 nC a 4,5 V | ±8 V | 152 pF a 16 V | - | 417 mW (Ta) | |||||||||||||
| PDTA144VT,215 | 0,1700 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | PDTA144 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V | 100 mA | 1μA | PNP - Pre-polarizzato | 150 mV a 500 µA, 10 mA | 40 a 5 mA, 5 V | 47 kOhm | 10 kOhm | |||||||||||||||||
 | PSMN018-80YS115 | - | | 8033 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | * | Massa | Attivo | scaricamento | 0000.00.0000 | 1 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||
| PBSS5140U,115 | 0,4400 | | 51 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-70, SOT-323 | PBSS5140 | 350 mW | SOT-323 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 40 V | 1A | 100nA (ICBO) | PNP | 500 mV a 100 mA, 1 A | 300 a 100 mA, 5 V | 150 MHz | |||||||||||||||||
 | PDTD143EQAZ | 0,0579 | | 1571 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | 3-XDFN Tampone esposto | PDTD143 | 325 mW | DFN1010D-3 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | 934069267147 | EAR99 | 8541.21.0075 | 5.000 | 50 V | 500 mA | 500nA | NPN - Prepolarizzato | 100 mV a 2,5 mA, 50 mA | 60 a 50 mA, 5 V | 210 MHz | 4,7 kOhm | 4,7 kOhm | |||||||||||||||
| PUMD13/ZLF | - | | 6383 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Massa | Obsoleto | Montaggio superficiale | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 | PUMD13 | 300 mW | 6-TSSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | OBSOLETO | 0000.00.0000 | 1 | 50 V | 100mA | 1μA | 1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio) | 100 mV a 250 µA, 5 mA | 100 a 10 mA, 5 V | 230 MHz, 180 MHz | 4,7 kOhm | 47kOhm | ||||||||||||||||
| PHPT60415PYX | 0,8100 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | PHPT60415 | 1,5 W | LFPAK56, Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0075 | 1.500 | 40 V | 15A | 100 nA | PNP | 850 mV a 1,5 A, 15 A | 200 a 500 mA, 2 V | 80 MHz | |||||||||||||||||
 | BUK9214-30A,118 | 1.4400 | | 36 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Design non per nuovi | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 | BUK9214 | MOSFET (ossido di metallo) | DPAK | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 2.500 | CanaleN | 30 V | 63A(Tc) | 4,5 V, 10 V | 12 mOhm a 25 A, 10 V | 2 V a 1 mA | 31 nC a 5 V | ±15 V | 2317 pF a 25 V | - | 107 W(Tc) | |||||||||||||
| BUK9Y15-100E,115 | 0,7874 | | 8616 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automotive, AEC-Q101, TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Attivo | -55°C ~ 175°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | BUK9Y15 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK56, Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 100 V | 69A(Tc) | 5 V, 10 V | 14,7 mOhm a 20 A, 10 V | 2,1 V a 1 mA | 45,8 nC a 5 V | ±10 V | 6139 pF a 25 V | - | 195 W(Tc) | |||||||||||||
| PH3120L,115 | - | | 6044 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | TrenchMOS™ | Nastro e bobina (TR) | Obsoleto | -55°C ~ 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | SC-100, SOT-669 | MOSFET (ossido di metallo) | LFPAK56, Potenza-SO8 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.29.0095 | 1.500 | CanaleN | 20 V | 100A (Tc) | 4,5 V, 10 V | 2,65 mOhm a 25 A, 10 V | 2 V a 1 mA | 48,5 nC a 4,5 V | ±20 V | 4457 pF a 10 V | - | 62,5 W(Tc) | ||||||||||||||
| 2PD602AQL,215 | 0,3000 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q101 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 | 2PD602 | 250 mW | TO-236AB | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0075 | 3.000 | 50 V | 500 mA | 10nA (ICBO) | NPN | 600mV a 30mA, 300mA | 85 a 150 mA, 10 V | 140 MHz | |||||||||||||||||
| PBLS2001D,115 | 0,4600 | | 2 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | - | Nastro e bobina (TR) | Attivo | Montaggio superficiale | SC-74, SOT-457 | PBLS2001 | 600 mW | 6-TSOP | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 3.000 | 50 V, 20 V | 100 mA, 1 A | 1 µA, 100 nA | 1 NPN prepolarizzato, 1 PNP | 150 mV a 500 µA, 10 mA / 280 mV a 100 mA, 1 A | 30 a 20 mA, 5 V / 220 a 500 mA, 2 V | 185 MHz | 2,2 kOhm | 2,2 kOhm | ||||||||||||||||
 | PBHV3160ZX | 0,5500 | | 53 | 0.00000000 | Nexperia USA Inc. | Automobilistico, AEC-Q100 | Nastro e bobina (TR) | Attivo | 150°C (TJ) | Montaggio superficiale | TO-261-4, TO-261AA | PBHV3160 | 650 mW | SOT-223 | scaricamento | Conformità ROHS3 | 1 (illimitato) | REACH Inalterato | EAR99 | 8541.21.0095 | 1.000 | 600 V | 100 mA | 100 nA | PNP | 250 mV a 6 mA, 30 mA | 70 a 10 mA, 10 V | 38 MHz |
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