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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Tensione - Prova	Tensione - Rottura (V(BR)GSS)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Resistenza - RDS(On)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
MSCSM70AM19T1AG	100.9200	Richiesta di offerta	10	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM70		Carburo di silicio (SiC)	365 W(Tc)		-	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM70AM19T1AG	EAR99	8541.29.0095	1	Canale 2 N (fase)					700 V	124A(Tc)		19 mOhm a 40 A, 20 V	2,4 V a 4 mA	215nC a 20V		4500 pF a 700 V	-
VN10KN3-G-P003	0,5400	Richiesta di offerta	1740	Tecnologia del microchip	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) hanno formato i lead	VN10KN3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.000		CanaleN				60 V	310mA(Tj)	5 V, 10 V	5 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 1 mA		±30 V	60 pF a 25 V	-	1W (Tc)
JANSH2N2219AL	248.3916	Richiesta di offerta	5020	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/251	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				800 mW		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-JANSH2N2219AL			1																		50 V	800 mA					10nA				NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APT5018SLLG	11.3100	Richiesta di offerta	7260	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo			Montaggio superficiale	TO-268-3, D³Pak (2 cavi + linguatta), TO-268AA	APT5018		MOSFET (ossido di metallo)			D3 [S]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				500 V	27A(Tc)		180 mOhm a 13,5 A, 10 V	5 V a 1 mA	58 nC a 10 V		2596 pF a 25 V	-
JANKCDR2N2907A	-	Richiesta di offerta	3761	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo				500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-			REACH Inalterato	150-JANKCDR2N2907A			100																		60 V	600 mA					50nA				PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JAN2N5238	16.4787	Richiesta di offerta	3527	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/394	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N5238			1 W		TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																		170 V	10A					10 µA				NPN	2,5 V a 1 A, 10 A	40 a 5 A, 5 V	-
JANS2N6989U	262.2704	Richiesta di offerta	9210	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/559	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	2N6989			1 W		6-SMD	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																		50 V	800 mA					10nA (ICBO)				4 PNP (quadruplo)	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APTGL90A120T1G	72.0600	Richiesta di offerta	6424	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	SP1	APTGL90			385 W	Standard	SP1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																Sosta sul campo di trincea	1200 V	110A	2,25 V a 15 V, 75 A				250 µA	SÌ	4,4 nF a 25 V
APTGT35A120T1G	57.4906	Richiesta di offerta	4889	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTGT35			208 W	Standard	SP1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Mezzo ponte																Sosta sul campo di trincea	1200 V	55A	2,1 V a 15 V, 35 A				250 µA	SÌ	2,5 nF a 25 V
JAN2N6287	57.6289	Richiesta di offerta	3303	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/505	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3	2N6287			175 W		TO-204AA (TO-3)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																		100 V	20A					1mA				PNP-Darlington	3 V a 200 mA, 20 A	1250 a 10 A, 3 V	-
APTGT30X60T3G	76.3606	Richiesta di offerta	2894	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP3	APTGT30			90 W	Standard	SP3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore trifase																Sosta sul campo di trincea	600 V	50A	1,9 V a 15 V, 30 A				250 µA	SÌ	1,6 nF a 25 V
APT29F100L	13.8000	Richiesta di offerta	5969	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	APT29F100		MOSFET (ossido di metallo)			TO-264	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN				1000 V	30A (Tc)	10 V	460 mOhm a 16 A, 10 V	5 V a 2,5 mA	260 nC a 10 V	±30 V	8500 pF a 25 V	-	1040 W(Tc)
JANSL2N3501L	41.5800	Richiesta di offerta	9926	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				1 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-JANSL2N3501L			1																		150 V	300 mA					10μA (ICBO)				NPN	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANSD2N2221AUB	150.4902	Richiesta di offerta	1395	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-JANSD2N2221AUB			1																		50 V	800 mA					50nA				NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JAN2N3724L	-	Richiesta di offerta	9720	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo						TO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																		30 V	500 mA					-				NPN	-	-	-
2N6232	43.2649	Richiesta di offerta	2847	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N6232			1,25 W		TO-5	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																		100 V	10A					200nA				PNP		25 a 5 A, 2 V	-
JAN2N2432AUB	217.8806	Richiesta di offerta	2021	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo						UB	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																		30 V	100 mA					-				NPN	-	-	-
2N5008	537.9600	Richiesta di offerta	8874	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio a perno	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Perno				100 W		TO-61	-			REACH Inalterato	150-2N5008	EAR99	8541.29.0095	1																		80 V	10A					-				PNP	900 mV a 500 µA, 5 mA	-	-
MNS2N3810U	49.7850	Richiesta di offerta	5309	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-SMD, senza piombo	2N3810			350 mW		U	-			REACH Inalterato	150-MNS2N3810U			1																		60 V	50mA					10μA (ICBO)				2 PNP (doppio)	250 mV a 100 µA, 1 mA	150 a 1 mA, 5 V	-
JAN2N3501UB	17.5826	Richiesta di offerta	9247	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N3501			500 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																		150 V	300 mA					10μA (ICBO)				NPN	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2C3506-MSCL	7.5450	Richiesta di offerta	9092	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo											-			REACH Inalterato	150-2C3506-MSCL			1
JANTXV2N3635L	14.3906	Richiesta di offerta	5491	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo		-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo	2N3635			1 W		TO-5	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																		140 V	1A					10 µA				PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	100 a 50 mA, 10 V	-
JANS2N4033	87.6604	Richiesta di offerta	4658	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/512	Massa	Attivo		-55°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				800 mW		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1																		80 V	1A					10μA (ICBO)				PNP	1 V a 100 mA, 1 A	100 a 100 mA, 5 V	-
ARF463BP1G	45.0300	Richiesta di offerta	30	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	500 V			TO-247-3	ARF463	81,36 MHz	MOSFET			TO-247	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	1	CanaleN		9A	100 W	15dB											-					125 V
2N2985	27.6600	Richiesta di offerta	7703	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo				5 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-2N2985	EAR99	8541.29.0095	1																		80 V	3A					-				NPN	-	-	-
JANTX2N3724UB	-	Richiesta di offerta	1153	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo						UB	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																		30 V	500 mA					-				NPN	-	-	-
2N4091	41.4960	Richiesta di offerta	7423	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo		-65°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo	2N4091			360 mW		TO-18	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1		CanaleN				40 V							16 pF a 20 V									40 V	30 mA a 20 V				30 Ohm
2N6296	26.9724	Richiesta di offerta	3762	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo					2N6296						-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1
2N3634UB	-	Richiesta di offerta	4877	Tecnologia del microchip	-	Massa	Interrotto alla SIC		-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W		3-SMD	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1																		140 V	1A					10 µA				PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 50 mA, 10 V	-
APTM50AM38FTG	159.4300	Richiesta di offerta	2948	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Massa	Attivo		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM50		MOSFET (ossido di metallo)	694W		SP4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)					500 V	90A		45 mOhm a 45 A, 10 V	5 V a 5 mA	246nC a 10 V		11200 pF a 25 V	-