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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Condizione di prova	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
2N3738	39.5010	Richiesta di offerta	7271	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2				20 W		TO-66 (TO-213AA)	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															225 V	1A						-			PNP	-	-	-
APTM120A20DG	309.5600	Richiesta di offerta	9790	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTM120		MOSFET (ossido di metallo)	1250 W		SP6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	2 canali N (mezzo ponte)			1200 V (1,2 kV)	50A		240 mOhm a 25 A, 10 V	5 V a 6 mA	600 nC a 10 V		15200 pF a 25 V	-
2N6276	92.0892	Richiesta di offerta	2017	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo				2N6276						-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
APTGT20TL601G	53.4000	Richiesta di offerta	3689	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTGT20			62 W	Standard	SP1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Invertitore a tre livelli													Sosta sul campo di trincea	600 V	32A		1,9 V a 15 V, 20 A				250 µA	NO	1,1 pF a 25 V
2N4233A	27.4645	Richiesta di offerta	9578	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo				2N4233						-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
JAN2N2907AUBP	12.5153	Richiesta di offerta	3095	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				500 mW		UB	-			REACH Inalterato	150-JAN2N2907AUBP	EAR99	8541.21.0095	1															60 V	600 mA						50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 1 mA, 10 V	-
JANTXV2N5415UA	229.5810	Richiesta di offerta	9709	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/485	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo				750 mW		UA	-			REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															200 V	50 µA						50 µA			PNP	2 V a 5 mA, 50 mA	30 a 50 mA, 10 V	-
JANSP2N2222AL	98.5102	Richiesta di offerta	2288	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-206AA, TO-18-3 Contenitore in metallo				500 mW		TO-18 (TO-206AA)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JAN2N1484	186.7320	Richiesta di offerta	9985	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/180	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-233AA, TO-8-3 Contenitore in metallo				1,75 W		TO-8	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															55 V	3A						15μA			NPN	1,20 V a 75 mA, 750 A	20 a 750 mA, 4 V	-
JANTX2N2222AUB	5.7000	Richiesta di offerta	1270	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2222			500 mW		UB	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															50 V	800 mA						50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
MSCSM170TLM23C3AG	415.3700	Richiesta di offerta	5	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM170		Carburo di silicio (SiC)	602W(Tc)		SP3F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM170TLM23C3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N (inverter a tre livelli)			1700 V (1,7 kV)	124A(Tc)		22,5 mOhm a 60 A, 20 V	3,2 V a 5 mA	356nC a 20 V		6600 pF a 1000 V	-
JANTX2N5003	443.7924	Richiesta di offerta	6715	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/535	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero	2N5003			2 W		TO-59	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															80 V	5A						50 µA			PNP	1,5 V a 500 mA, 5 A	30 a 2,5 A, 5 V	-
APT36GA60B	4.8100	Richiesta di offerta	9843	Tecnologia del microchip	POWERMOS8™	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	APT36GA60	Standard		290 W		TO-247 [B]	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1			400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V											P.T	600 V	65A	109A	2,5 V a 15 V, 20 A	307μJ (acceso), 254μJ (spento)	102 nC	16ns/122ns
MSCSM70AM025CD3AG	880.2500	Richiesta di offerta	4	Tecnologia del microchip	-	Scatola	Attivo	-	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM70		Carburo di silicio (SiC)	-		D3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM70AM025CD3AG	EAR99	8541.29.0095	1	-			700 V	538A(Tc)		-	-	-		-	-
APTGT50SK170T1G	61.9200	Richiesta di offerta	4083	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP1	APTGT50			312 W	Standard	SP1	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Separare													Sosta sul campo di trincea	1700 V	75A		2,4 V a 15 V, 50 A				250 µA	SÌ	4,4 nF a 25 V
APT10021JLL	99.2310	Richiesta di offerta	6280	Tecnologia del microchip	POWERMOS7®	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SOT-227-4, miniBLOC	APT10021		MOSFET (ossido di metallo)			ISOTOP®	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		1000 V	37A(Tc)	10 V	210 mOhm a 18,5 A, 10 V	5 V a 5 mA	395 nC a 10 V	±30 V	9750 pF a 25 V	-	694 W(Tc)
JANSP2N5154U3	229.9812	Richiesta di offerta	1661	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W		U3 (SMD-0.5)	-			REACH Inalterato	150-JANSP2N5154U3			1															80 V	2A						50 µA			NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
JANTX2N3498U4/TR	-	Richiesta di offerta	1052	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo				1 W		U4	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANTX2N3498U4/TR	EAR99	8541.29.0095	1															100 V	500 mA						50nA (ICBO)			NPN	600mV a 30mA, 300mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JAN2N5666S	-	Richiesta di offerta	1668	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/455	Massa	Interrotto alla SIC	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N5666			1,2 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															200 V	5A						200nA			NPN	1 V a 1 A, 5 A	40 a 1 A, 5 V	-
APTM20SKM08TG	124.1813	Richiesta di offerta	5590	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTM20		MOSFET (ossido di metallo)			SP4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN		200 V	208A(Tc)	10 V	10 mOhm a 104 A, 10 V	5 V a 5 mA	280 nC a 10 V	±30 V	14.400 pF a 25 V	-	781W(Tc)
2N5617	74.1300	Richiesta di offerta	4253	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-204AA, TO-3				58 W		TO-204AD (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N5617	EAR99	8541.29.0095	1															80 V	5A						-			PNP	-	-	-
VN2222LL-G	0,5400	Richiesta di offerta	7	Tecnologia del microchip	-	Borsa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)	VN2222		MOSFET (ossido di metallo)			TO-92-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN		60 V	230mA(Tj)	5 V, 10 V	7,5 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 1 mA		±30 V	60 pF a 25 V	-	400 mW (Ta), 1 W (Tc)
JANTX2N3585	267.5420	Richiesta di offerta	1213	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/384	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2	2N3585			2,5 W		TO-66 (TO-213AA)	-	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															300 V	2A						5mA			NPN	750 mV a 125 mA, 1 A	25 a 1 A, 10 V	-
JAN2N2604UB	-	Richiesta di offerta	3387	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/354	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo	2N2604			400 mW		UB	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															60 V	30 mA						10nA			PNP	300 mV a 500 µA, 10 mA	60 a 500 µA, 5 V	-
2N5003	287.5460	Richiesta di offerta	1109	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo				2N5003						-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
JANTX2N2432AUB	226.4724	Richiesta di offerta	4014	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo						UB	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1															30 V	100 mA						-			NPN	-	-	-
JANTXV2N4930	-	Richiesta di offerta	3012	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/397	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo				1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1															200 V	200mA									PNP	1,2 V a 3 mA, 30 mA	50 a 30 mA, 10 V	-
JANTX2N1715	-	Richiesta di offerta	4107	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	175°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo						TO-5	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1															100 V	750 mA						-			NPN	-	-	-
JANS2N5416UA	-	Richiesta di offerta	4339	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/485	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo				750 mW		UA	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1															300 V	1A						1mA			PNP	2 V a 5 mA, 50 mA	30 a 50 mA, 10 V	-
HS2907A	8.1529	Richiesta di offerta	9022	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo				HS2907						-	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1