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Transistor(5714)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Ingresso	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Corrente - Interruzione collettore (max)	Termistore NTC	Capacità di ingresso (Cies) @ Vce	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
MSCSM120HM50CT3AG	181.3700	Richiesta di offerta	4076	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	MSCSM120	Carburo di silicio (SiC)	245 W(Tc)		SP3F	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	150-MSCSM120HM50CT3AG	EAR99	8541.29.0095	1	4 canali N		1200 V (1,2 kV)	55A (Tc)		50 mOhm a 40 A, 20 V	2,7 V a 1 mA	137nC a 20 V		1990 pF a 1000 V	-
JAN2N3421P	24.0065	Richiesta di offerta	2249	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/393	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W		TO-5AA	-			REACH Inalterato	150-JAN2N3421P	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	3A		5μA			NPN	500 mV a 200 mA, 2 A	40 a 1 A, 2 V	-
JANKCCR2N3499	-	Richiesta di offerta	3622	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANKCCR2N3499	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	500 mA		10μA (ICBO)			NPN	600mV a 30mA, 300mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANKCCM2N3501	-	Richiesta di offerta	4240	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANKCCM2N3501			100														150 V	300mA		10μA (ICBO)			NPN	400mV a 15mA, 150mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2N6987U/TR	59.5308	Richiesta di offerta	6016	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/558	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	20-CLCC	2N6987				20-CLCC	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-2N6987U/TR	EAR99	8541.21.0095	1																	10μA (ICBO)			4 PNP (quadruplo)	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
JANKCCD2N3499	-	Richiesta di offerta	6995	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/366	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANKCCD2N3499			100														100 V	500 mA		10μA (ICBO)			NPN	600mV a 30mA, 300mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APTGT75TA120PG	244.2520	Richiesta di offerta	4563	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT75		350 W	Standard	SP6-P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Tre fasi												Sosta sul campo di trincea	1200 V	100A	2,1 V a 15 V, 75 A	250 µA	NO	5,34 nF a 25 V
JAN2N5005	416.0520	Richiesta di offerta	8867	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/535	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero	2N5005		2 W		TO-59	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	5A		50 µA			PNP	1,5 V a 500 mA, 5 A	70 a 2,5 A, 5 V	-
2N6385P	80.7150	Richiesta di offerta	9575	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-204AA, TO-3			6 W		TO-204AA (TO-3)	-			REACH Inalterato	150-2N6385P	EAR99	8541.29.0095	1														80 V	10A		1mA			NPN-Darlington	3 V a 100 mA, 10 A	1000 a 5 A, 3 V	-
APTGT50DU120TG	101.3000	Richiesta di offerta	1027	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP4	APTGT50		277 W	Standard	SP4	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Doppia fonte comune												Sosta sul campo di trincea	1200 V	75A	2,1 V a 15 V, 50 A	250 µA	SÌ	3,6 nF a 25 V
JANSM2N2221AUA/TR	150.3406	Richiesta di offerta	1506	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/255	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	4-SMD, senza piombo			650 mW		UA	-			REACH Inalterato	150-JANSM2N2221AUA/TR			50														50 V	800 mA		50nA			NPN	1 V a 50 mA, 500 mA	40 a 150 mA, 10 V	-
JANS2N3506	70.3204	Richiesta di offerta	4580	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANS2N3506			1														40 V	3A		1μA			NPN	1,5 V a 250 mA, 2,5 A	50 a 500 mA, 1 V	-
JANKCAM2N3636	-	Richiesta di offerta	8424	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/357	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo			1 W		TO-39 (TO-205AD)	-			REACH Inalterato	150-JANKCAM2N3636			100														175 V	1A		10μA			PNP	600 mV a 5 mA, 50 mA	50 a 50 mA, 10 V	-
JANSP2N5152U3	229.9812	Richiesta di offerta	7033	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/544	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo			1 W		U3 (SMD-0.5)	-			REACH Inalterato	150-JANSP2N5152U3			1														80 V	2A		50 µA			NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	30 a 2,5 A, 5 V	-
JANSD2N2907AUB/TR	101.4500	Richiesta di offerta	3019	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2907		500 mW		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSD2N2907AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA		50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
APT4F120K	-	Richiesta di offerta	4519	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3		MOSFET (ossido di metallo)			TO-220	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	1200 V	4A(Tc)	10 V	4,6 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 500 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1385 pF a 25 V	-	225 W(Tc)
2N5664	41.5891	Richiesta di offerta	1295	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2	2N5664		2,5 W		TO-66 (TO-213AA)	scaricamento	RoHS non conforme		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														200 V	5A		200nA			NPN	400 mV a 300 mA, 3 A	40 a 1 A, 5 V	-
2N5605	43.0350	Richiesta di offerta	9184	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2			25 W		TO-66 (TO-213AA)	-			REACH Inalterato	150-2N5605	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	5A		-			PNP	750 mV a 250 µA, 2,5 mA	-	-
2N5606	43.0350	Richiesta di offerta	8184	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2			25 W		TO-66 (TO-213AA)	-			REACH Inalterato	150-2N5606	EAR99	8541.29.0095	1														60 V	5A		-			NPN	1,5 V a 500 µA, 2,5 mA	-	-
JANSL2N2907AUB/TR	101.4500	Richiesta di offerta	5703	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/291	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-65°C ~ 200°C	Montaggio superficiale	3-SMD, senza piombo	2N2907		500 mW		UB	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	150-JANSL2N2907AUB/TR	EAR99	8541.21.0095	1														60 V	600 mA		50nA			PNP	1,6 V a 50 mA, 500 mA	100 a 150 mA, 10 V	-
2C6189	24.3450	Richiesta di offerta	6117	Tecnologia del microchip	*	Massa	Attivo									-			REACH Inalterato	150-2C6189			1
CMLRGLQ80V601AMXG-AS	-	Richiesta di offerta	8426	Tecnologia del microchip	*	Vassoio	Obsoleto									-				150-CMLRGLQ80V601AMXG-AS	OBSOLETO		1
90025-05TXV	-	Richiesta di offerta	6121	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-	Foro passante	TO-213AA, TO-66-2					TO-66 (TO-213AA)	-	RoHS non conforme		REACH Inalterato			0000.00.0000	1																	-			-	-	-	-
DN2535N5-G	1.6900	Richiesta di offerta	162	Tecnologia del microchip	-	Tubo	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	DN2535	MOSFET (ossido di metallo)			TO-220-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	350 V	500mA(Tj)	0 V	25 Ohm a 120 mA, 0 V	-		±20 V	300 pF a 25 V	Modalità di esaurimento	15 W (Tc)
JANTX2N5152	13.6192	Richiesta di offerta	7621	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/544	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AD, TO-39-3 Lattina di metallo	2N5152		1 W		TO-39 (TO-205AD)	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	2A		50 µA			NPN	1,5 V a 500 mA, 5 A	30 a 2,5 A, 5 V	-
2N5315	519.0900	Richiesta di offerta	9426	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Montaggio a perno	TO-211MA, TO-210AC, TO-61-4, Perno			87 W		TO-61	-			REACH Inalterato	150-2N5315	EAR99	8541.29.0095	1														100 V	20A		-			NPN	1,5 V a 1 mA, 10 mA	-	-
APTGT150TDU60PG	243.8000	Richiesta di offerta	3785	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT150		480 W	Standard	SP6-P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Tripla, doppia - Sorgente comune												Sosta sul campo di trincea	600 V	225A	1,9 V a 15 V, 150 A	250 µA	NO	9,2 nF a 25 V
JAN2N3999	127.8130	Richiesta di offerta	2950	Tecnologia del microchip	Militare, MIL-PRF-19500/374	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Telaio, montaggio con perno	TO-210AA, TO-59-4, Prigioniero	2N3999		2 W		TO-59	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1														80 V	10A		10μA			NPN	2 V a 500 mA, 5 A	80 a 1 A, 2 V	-
APTGT50TDU60PG	150.8300	Richiesta di offerta	4625	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio su telaio	SP6	APTGT50		176 W	Standard	SP6-P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1	Tripla, doppia - Sorgente comune												Sosta sul campo di trincea	600 V	80A	1,9 V a 15 V, 50 A	250 µA	NO	3,15 nF a 25 V
2N1480	25.4429	Richiesta di offerta	1213	Tecnologia del microchip	-	Massa	Attivo	-65°C ~ 200°C (TJ)	Foro passante	TO-205AA, TO-5-3 Contenitore in metallo			1 W		TO-5	-			REACH Inalterato	2N1480MS	EAR99	8541.29.0095	1														55 V	1,5 A		5μA (ICBO)			NPN	750mV a 20mA, 200mA	20 a 200 mA, 4 V	-