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Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tipo di ingresso Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Configurazione Tipo FET Condizione di prova Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss) Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato) Rds attivo (max) @ Id, Vgs Vgs(esimo) (Max) @ Id Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs Vg (massimo) Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds Funzionalità FET Dissipazione di potenza (massima) Tipo IGBT Tensione - Guasto collettore emettitore (max) Corrente - Collettore (Ic) (Max) Corrente - Collettore pulsato (Icm) Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic Cambiare energia Carica di cancello Td (acceso/spento) @ 25°C Corrente - Interruzione collettore (max) Tipo di transistor Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce Frequenza - Transizione Resistore - Base (R1) Resistore - Base emettitore (R2)
MMSTA14T146 Rohm Semiconductor MMSTA14T146 0,1417
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ECAD 4594 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi - Montaggio superficiale SOT-23-6 MMSTA14 200 mW SOT-23 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 30 V 500 mA 100nA (ICBO) NPN-Darlington 1,5 V a 100 µA, 100 mA 10000 a 10 mA, 5 V -
DTA143EE3HZGTL Rohm Semiconductor DTA143EE3HZGTL 0,4100
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ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-75, SOT-416 DTA143 150 mW EMT3 scaricamento 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 500 µA, 10 mA 30 a 10 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm 4,7 kOhm
SH8M5TB1 Rohm Semiconductor SH8M5TB1 1.8500
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ECAD 163 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SH8M5 MOSFET (ossido di metallo) 2 W 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canali N e P 30 V 6A, 7A 30 mOhm a 6 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 7,2 nC a 5 V 520 pF a 10 V Porta a livello logico
QS8K2TR Rohm Semiconductor QS8K2TR 0,9200
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ECAD 4199 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SMD, cavo piatto QS8K2 MOSFET (ossido di metallo) 1,25 W TSMT8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 2 canali N (doppio) 30 V 3,5 A 54 mOhm a 3,5 A, 4,5 V 1,5 V a 1 mA 4,6 nC a 4,5 V 285 pF a 10 V Porta a livello logico
SH8JB5TB1 Rohm Semiconductor SH8JB5TB1 2.3400
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ECAD 8 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SH8JB5 MOSFET (ossido di metallo) 1,4 W(Ta) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-SH8JB5TB1TR EAR99 8541.29.0095 2.500 2 canali P (doppio) 40 V 8,5A(Ta) 15,3 mOhm a 8,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 51nC a 10 V 2870 pF a 20 V -
SCT3060ARC15 Rohm Semiconductor SCT3060ARC15 14.7600
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ECAD 3300 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 175°C (TJ) Foro passante TO-247-4 SCT3060 SiC (transistor alla giunzione al carburo di silicio) TO-247-4L scaricamento 3 (168 ore) REACH Inalterato 846-SCT3060ARC15 EAR99 8541.29.0095 450 CanaleN 650 V 39A(Tj) 18 V 78 mOhm a 13 A, 18 V 5,6 V a 6,67 mA 58 nC a 18 V +22V, -4V 852 pF a 500 V - 165 W
2SAR583D3TL1 Rohm Semiconductor 2SAR583D3TL1 1.5300
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ECAD 3 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 10 W TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 50 V 7A 1μA (ICBO) PNP 400 mV a 150 mA, 3 A 180 @ 1A, 3V 230 MHz
RF4G060ATTCR Rohm Semiconductor RF4G060ATTCR 0,9100
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale 6-PowerUDFN RF4G060 MOSFET (ossido di metallo) HUML2020L8 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 40 V 6A (Ta) 4,5 V, 10 V 40 mOhm a 6 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 17,2 nC a 10 V ±20 V 880 pF a 20 V - 2 W (Ta)
RJ1U330AAFRGTL Rohm Semiconductor RJ1U330AAFRGTL 4.1000
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ECAD 201 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB RJ1U330 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 250 V 33A (Ta) 10 V 105 mOhm a 16,5 A, 10 V 5 V a 1 mA 80 nC a 10 V ±30 V 4500 pF a 25 V - 211 W(Tc)
2SD2675TL Rohm Semiconductor 2SD2675TL 0,5200
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ECAD 1 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-96 2SD2675 500 mW TSMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 30 V 1A 100nA (ICBO) NPN 350mV a 25mA, 500mA 270 a 100 mA, 2 V 320 MHz
RZR020P01TL Rohm Semiconductor RZR020P01TL 0,5300
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ECAD 5 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-96 RZR020 MOSFET (ossido di metallo) TSMT3 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 3.000 Canale P 12 V 2A (Ta) 1,5 V, 4,5 V 105 mOhm a 2 A, 4,5 V 1 V@1 mA 6,5 nC a 4,5 V ±10 V 770 pF a 6 V - 1 W (Ta)
RGW40TS65GC11 Rohm Semiconductor RGW40TS65GC11 4.5300
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ECAD 5672 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Design non per nuovi -40°C ~ 175°C (TJ) Foro passante TO-247-3 Standard 136 W TO-247N scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 450 400 V, 20 A, 10 Ohm, 15 V Sosta sul campo di trincea 650 V 40A 80A 1,9 V a 15 V, 20 A 330μJ (acceso), 300μJ (spento) 59 nC 33ns/76ns
2SD2098T100S Rohm Semiconductor 2SD2098T100S 0,2646
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ECAD 8664 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2SD2098 2 W MPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 20 V 5A 500nA (ICBO) NPN 1 V a 100 mA, 4 A 270 a 500 mA, 2 V 150 MHz
DTC023EEBTL Rohm Semiconductor DTC023EEBTL 0,1900
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ECAD 28 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-89, SOT-490 DTC023 150 mW EMT3F (SOT-416FL) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 100 mA - NPN - Prepolarizzato 200 mV a 1 mA, 10 mA 20 a 20 mA, 10 V 250 MHz 2,2 kOhm 2,2 kOhm
DTC943TUBTL Rohm Semiconductor DTC943TUBTTL 0,0784
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ECAD 9338 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-85 DTC943 200 mW UMT3F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 3.000 20 V 400 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 100 mV a 3 mA, 30 mA 820 a 10 mA, 5 V 35 Mh 4,7 kOhm
UMT4401U3HZGT106 Rohm Semiconductor UMT4401U3HZGT106 0,6100
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ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale SC-70, SOT-323 UMT4401 200 mW UMT3 scaricamento Conformità ROHS3 3 (168 ore) REACH Inalterato 846-UMT4401U3HZGT106TR EAR99 8541.21.0075 3.000 40 V 600 mA 100nA (ICBO) NPN 750mV a 50mA, 500mA 100 a 150 mA, 1 V 250 MHz
R6070JNZ4C13 Rohm Semiconductor R6070JNZ4C13 16.6100
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ECAD 597 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Tubo Attivo 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 R6070 MOSFET (ossido di metallo) TO-247G scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-R6070JNZ4C13 EAR99 8541.29.0095 30 CanaleN 600 V 70A (Tc) 15 V 58 mOhm a 35 A, 15 V 7 V a 3 mA 165 nC a 15 V ±30 V 6000 pF a 100 V - 770 W(Tc)
R6046ANZ1C9 Rohm Semiconductor R6046ANZ1C9 15.7900
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ECAD 448 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Massa Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante TO-247-3 MOSFET (ossido di metallo) TO-247 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 846-R6046ANZ1C9 EAR99 8541.29.0095 450 CanaleN 600 V 46A(Tc) 10 V 90 mOhm a 23 A, 10 V 4,5 V a 1 mA 150 nC a 10 V ±30 V 6000 pF a 25 V - 120 W (Tc)
R6004END3TL1 Rohm Semiconductor R6004END3TL1 1.5800
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ECAD 7 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 R6004 MOSFET (ossido di metallo) TO-252 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 CanaleN 600 V 4A(Tc) 10 V 980 mOhm a 1,5 A, 10 V 4 V a 1 mA 15 nC a 10 V ±20 V 250 pF a 25 V - 59 W (Tc)
EM5K5T2R Rohm Semiconductor EM5K5T2R 0,5200
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ECAD 42 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi - Montaggio superficiale 6-SMD (5 conduttori), cavo piatto EM5K5 MOSFET (ossido di metallo) 150 mW EMT5 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 2 canali N (doppio) 30 V 300mA 600 mOhm a 300 mA, 4,5 V - - - -
DTB743EMT2L Rohm Semiconductor DTB743EMT2L 0,1035
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ECAD 5216 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi Montaggio superficiale SOT-723 DTB743 150 mW VMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 8.000 30 V 200mA 500nA PNP - Pre-polarizzato 300 mV a 2,5 mA, 50 mA 115 a 100 mA, 2 V 260 MHz 4,7 kOhm 4,7 kOhm
2SAR513PT100 Rohm Semiconductor 2SAR513PT100 1.0600
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ECAD 279 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-243AA 2SAR513 2 W MPT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0075 1.000 50 V 1A 1μA (ICBO) PNP 400mV a 25mA, 500mA 180 a 50 mA, 2 V 400 MHz
2SA1776TV2Q Rohm Semiconductor 2SA1776TV2Q -
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ECAD 7190 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro tagliato (CT) Obsoleto 150°C (TJ) Foro passante 3-SIP 2SA1776 1 W ATV scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 400 V 500 mA 1μA (ICBO) PNP 1 V a 10 mA, 100 mA 120 a 50 mA, 5 V 12 MHz
SH8M51GZETB Rohm Semiconductor SH8M51GZETB 1.7100
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ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale 8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm) SH8M51 MOSFET (ossido di metallo) 1,4 W(Ta) 8-SOP scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 2.500 Canali N e P 100 V 3A (Ta), 2,5 A (Ta) 170 mOhm a 3 A, 10 V, 290 mOhm a 2,5 A, 10 V 2,5 V a 1 mA 8,5 nC a 5 V, 12,5 nC a 5 V 610pF a 25V, 1550pF a 25V -
DTC614TKT146 Rohm Semiconductor DTC614TKT146 0,4800
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ECAD 4 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 DTC614 200 mW SMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 20 V 600 mA 500nA (ICBO) NPN - Prepolarizzato 150 mV a 2,5 mA, 50 mA 820 a 50 mA, 5 V 150 MHz 10 kOhm
DTC044EUBTL Rohm Semiconductor DTC044EUBTL 0,3000
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ECAD 5 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SC-85 DTC044 200 mW UMT3F scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 50 V 30 mA - NPN - Prepolarizzato 150 mV a 500 µA, 5 mA 80 a 5 mA, 10 V 250 MHz 47 kOhm 47 kOhm
EMH3T2R Rohm Semiconductor EMH3T2R 0,3900
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ECAD 568 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 EMH3T2 150 mW EMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 100mA - 2 NPN - Prepolarizzato (doppio) 300 mV a 250 µA, 5 mA 100 a 1 mA, 5 V 250 MHz 4,7 kOhm -
MMSTA28T146 Rohm Semiconductor MMSTA28T146 0,4100
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ECAD 8 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Design non per nuovi 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 MMSTA28 200 mW SMT3 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0075 3.000 80 V 300mA 500nA NPN-Darlington 1,5 V a 100 µA, 100 mA 10000 a 100 mA, 5 V 200 MHz
R6015KNJTL Rohm Semiconductor R6015KNJTL 2.8900
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ECAD 2 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB R6015 MOSFET (ossido di metallo) LPTS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.29.0095 1.000 CanaleN 600 V 15A (Tc) 10 V 290 mOhm a 6,5 ​​A, 10 V 5 V a 1 mA 37,5 nC a 10 V ±20 V 1050 pF a 25 V - 184 W(Tc)
EMB51T2R Rohm Semiconductor EMB51T2R 0,4700
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ECAD 4371 0.00000000 Semiconduttore Rohm - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOT-563, SOT-666 EMB51 150 mW EMT6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.21.0095 8.000 50 V 30mA 500nA 2 PNP - Prepolarizzato (doppio) 150 mV a 500 µA, 5 mA 60 a 5 mA, 10 V 250 MHz 22kOhm 22kOhm
  • Daily average RFQ Volume

    2000+

    Volume medio giornaliero delle richieste di offerta

  • Standard Product Unit

    30.000.000

    Unità di prodotto standard

  • Worldwide Manufacturers

    2800+

    Produttori mondiali

  • In-stock Warehouse

    15.000 mq2

    Magazzino in stock