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Transistor(3592)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
DTC144WKAT146	0,2600	Richiesta di offerta	383	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC144		200 mW	SMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	30 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	56 a 5 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	22 kOhm
2SA2007E	2.6300	Richiesta di offerta	397	Semiconduttore Rohm	-	Massa	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	2SA2007		25 W	TO-220FN	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	500													60 V	12A	10μA (ICBO)	PNP	500 mV a 400 mA, 8 A	320 a 2 A, 2 V	80 MHz
2SCR372PHZGT100Q	0,8000	Richiesta di offerta	8341	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA			500 mW	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1.000													120 V	700mA	1μA (ICBO)	NPN	300mV a 50mA, 500mA	120 a 100 mA, 5 V	220 MHz
RQ5E050ATTCL	0,6900	Richiesta di offerta	14	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-96	RQ5E050	MOSFET (ossido di metallo)		TSMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P	30 V	5A (Ta)	4,5 V, 10 V	26 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	19,4 nC a 10 V	±20 V	880 pF a 15 V	-	760 mW(Ta)
QSX2TR	0,2767	Richiesta di offerta	5099	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	QSX2		500 mW	TSMT6 (SC-95)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													30 V	5A	100nA (ICBO)	NPN	250 mV a 40 mA, 2 A	270 a 500 mA, 2 V	200 MHz
SCT3030ARC14	51.1200	Richiesta di offerta	201	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-4	SCT3030	SiCFET (carburo di silicio)		TO-247-4L	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	650 V	70A (Tc)	18 V	39 mOhm a 27 A, 18 V	5,6 V a 13,3 mA	104 nC a 18 V	+22V, -4V	1526 pF a 500 V	-	262W
R6020ENZM12C8	-	Richiesta di offerta	1099	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	R6020	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	846-R6020ENZM12C8	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	600 V	20A (Tc)	10 V	196 mOhm a 9,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	60 nC a 10 V	±20 V	1.400 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
2SCRC41CT116S	0,4100	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	2SCRC41		200 mW	SOT-223-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													120 V	50 mA	500nA (ICBO)	NPN	500 mV a 1 mA, 10 mA	180 a 2 mA, 6 V	140 MHz
RSR010N10HZGTL	0,7100	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-96	RSR010	MOSFET (ossido di metallo)		TSMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	100 V	1A (Ta)	4 V, 10 V	520 mOhm a 1 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	3,5 nC a 5 V	±20 V	140 pF a 25 V	-	700mW (Ta)
2SAR513PHZGT100	0,5800	Richiesta di offerta	448	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA			500 mW	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1.000													50 V	1A	1μA (ICBO)	PNP	400mV a 25mA, 500mA	180 a 50 mA, 2 V	400 MHz
RTF025N03FRATL	0,4900	Richiesta di offerta	7	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C	Montaggio superficiale	3-SMD, conduttori piatti	RTF025	MOSFET (ossido di metallo)		TUMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	30 V	2,5A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	67 mOhm a 2,5 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA	5,2 nC a 4,5 V		270 pF a 10 V	-	800 mW (Ta)
SCT3120AW7TL	11.0300	Richiesta di offerta	848	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-8, D²Pak (7 derivazioni + linguatta), TO-263CA	SCT3120	SiCFET (carburo di silicio)		TO-263-7	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN	650 V	21A(Tc)		156 mOhm a 6,7 A, 18 V	5,6 V a 3,33 mA	38 nC a 18 V	+22V, -4V	460 pF a 500 V	-	100 W
2SA1774EBTLP	0,0683	Richiesta di offerta	3769	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	2SA1774		150 mW	EMT3F (SOT-416FL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	150 mA	100nA (ICBO)	PNP	500mV a 5mA, 50mA	120 a 1 mA, 6 V	140 MHz
RW4E065GNTCL1	1.0700	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	6-PowerUFDFN	RW4E065	MOSFET (ossido di metallo)		DFN1616-7T	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	6,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	22,5 mOhm a 6,5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	4,3 nC a 10 V	±20 V	260 pF a 15 V	-	1,5 W(Ta)
DTC123YEBHZGTL	0,0658	Richiesta di offerta	6849	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	DTC123		150 mW	EMT3F (SOT-416FL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	33 a 10 mA, 5 V	250 MHz	2,2 kOhm	10 kOhm
RD3P05BATTL1	2.6500	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	RD3P05	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento		1 (illimitato)					2.500		Canale P	100 V	50A (Ta)	6 V, 10 V	41 mOhm a 25 A, 10 V	4 V a 1 mA	110 nC a 10 V	±20 V	4620 pF a 50 V	-	101 W (Ta)
RQ1C065UNTR	0,6800	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SMD, cavo piatto	RQ1C065	MOSFET (ossido di metallo)		TSMT8	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	20 V	6,5A(Ta)	1,5 V, 4,5 V	22 mOhm a 6,5 A, 4,5 V	1 V@1 mA	11 nC a 4,5 V	±10 V	870 pF a 10 V	-	700mW (Ta)
UMD3NFHATR	0,4800	Richiesta di offerta	18	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMD3		150 mW	UMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100mA	500nA	PNP+PNP	300 mV a 500 µA, 10 mA	30 a 5 mA, 5 V	250 MHz	10kOhm	10kOhm
RS3E075ATTB1	1.1400	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	RS3E	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P	30 V	7,5A(Ta)	4,5 V, 10 V	23,5 mOhm a 7,5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	25 nC a 10 V	±20 V	1250 pF a 15 V	-	2 W (Ta)
R6006PND3FRATL	2.8300	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	R6006	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	600 V	6A (Tc)	10 V	1,2 Ohm a 3 A, 10 V	4,5 V a 1 mA	15 nC a 10 V	±30 V	460 pF a 25 V	-	87 W(Tc)
R6030ENZC17	6.9600	Richiesta di offerta	300	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	R6030	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-R6030ENZC17	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	600 V	30A (Tc)	10 V	130 mOhm a 14,5 A, 10 V	4 V a 1 mA	85 nC a 10 V	±20 V	2100 pF a 25 V	-	120 W (Tc)
RA1C030LDT5CL	0,4800	Richiesta di offerta	14	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-XFDFN		MOSFET (ossido di metallo)		DSN1006-3	scaricamento		1 (illimitato)		846-RA1C030LDT5CLCT	EAR99	8541.29.0095	15.000		CanaleN	20 V	3A (Ta)	1,8 V, 4,5 V	140 mOhm a 3 A, 4,5 V	1,5 V a 1 mA	1,5 nC a 4,5 V	+7 V, -0,2 V	150 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
DTC043EMT2L	0,2400	Richiesta di offerta	15	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	DTC043		150 mW	VMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000													50 V	100 mA	-	NPN - Prepolarizzato	150 mV a 500 µA, 5 mA	20 a 5 mA, 10 V	250 MHz	4,7 kOhm	4,7 kOhm
DTA124GKAT146	0,0488	Richiesta di offerta	5454	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTA124		200 mW	SMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V	100 mA	500nA (ICBO)	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	56 a 5 mA, 5 V	250 MHz		22 kOhm
EMF24T2R	0,1035	Richiesta di offerta	5362	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EMF24		150 mW	EMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	8.000													50 V	100 mA, 150 mA	500nA	1 NPN prepolarizzato, 1 NPN	300 mV a 500 µA, 10 mA / 400 mV a 5 mA, 50 mA	30 a 5 mA, 5 V / 180 a 1 mA, 6 V	250 MHz, 180 MHz	10kOhm	10kOhm
DTA014YEBTL	0,1900	Richiesta di offerta	8381	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	DTA014		150 mW	EMT3F (SOT-416FL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	70 mA	-	PNP - Pre-polarizzato	150 mV a 500 µA, 5 mA	80 a 5 mA, 10 V	250 MHz	10 kOhm	47 kOhm
DTC123EMT2L	0,4100	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	DTC123		150 mW	VMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000													50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	20 a 20 mA, 5 V	250 MHz	2,2 kOhm	2,2 kOhm
2SCR514PHZGT100	0,6400	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA			500 mW	SOT-89	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	1.000													80 V	700mA	1μA (ICBO)	NPN	300mV a 15mA, 300mA	120 a 100 mA, 3 V	320 MHz
SH8K1TB1	0,4101	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	SH8K1	MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)		30 V	5A		51 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	5,5 nC a 5 V		230 pF a 10 V	Porta a livello logico
DTA015TMT2L	0,0382	Richiesta di offerta	1908	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	DTA015		150 mW	VMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000													50 V	100 mA	500nA (ICBO)	PNP - Pre-polarizzato	250 mV a 250 µA, 5 mA	100 a 5 mA, 10 V	250 MHz	100 kOhm