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Transistor(3592)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (massima) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)
SP8M6FRATB	-	Richiesta di offerta	1442	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	SP8M6	MOSFET (ossido di metallo)	2 W	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canali N e P		30 V	5A(Ta), 3,5A(Ta)		51 mOhm a 5 A, 10 V, 90 mOhm a 3,5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	3,9 nC a 5 V, 5,5 nC a 5 V		230 pF a 10 V, 490 pF a 10 V	-
RXR035N03TCL	0,2392	Richiesta di offerta	3372	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-96	RXR035	MOSFET (ossido di metallo)		TSMT3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	30 V	3,5A(Ta)	4 V, 10 V	50 mOhm a 3,5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	3,3 nC a 5 V	±20 V	180 pF a 10 V	-	1 W (Ta)
SCT3022ALHRC11	73.6000	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Tubo	Attivo	175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	SCT3022	SiCFET (carburo di silicio)		TO-247N	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	650 V	93A(Tc)	18 V	28,6 mOhm a 36 A, 18 V	5,6 V a 18,2 mA	133 nC a 18 V	+22V, -4V	2208 pF a 500 V	-	339 W
EM6J1T2R	0,4400	Richiesta di offerta	16	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-563, SOT-666	EM6J1	MOSFET (ossido di metallo)	150 mW	EMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	8.000	2 canali P (doppio)		20 V	200mA		1,2 Ohm a 200 mA, 4,5 V	1 V a 100 µA	1,4 nC a 4,5 V		115 pF a 10 V	Porta a livello logico
RS1E130GNTB	0,6300	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	RS1E	MOSFET (ossido di metallo)		8-HSOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN	30 V	13A (Ta)	4,5 V, 10 V	11,7 mOhm a 13 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	7,9 nC a 10 V	±20 V	420 pF a 15 V	-	3 W (Ta), 22,2 W (Tc)
RSS050P03TB	0,4572	Richiesta di offerta	2115	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	RSS050	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		Canale P	30 V	5A (Ta)	4 V, 10 V	42 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	13 nC a 5 V	±20 V	1200 pF a 10 V	-	2 W (Ta)
R6015KNX	2.2000	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore Rohm	-	Massa	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	R6015	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	500		CanaleN	600 V	15A (Tc)	10 V	290 mOhm a 6,5 A, 10 V	5 V a 1 mA	27,5 nC a 10 V	±20 V	1050 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
BCW60CT116	-	Richiesta di offerta	8011	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	BCW60			SST3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													32 V	200 mA	-	NPN	-	260 a 2 mA, 5 V	125 MHz
2SB1238TV2P	-	Richiesta di offerta	2217	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	3-SIP	2SB1238		1 W	ATV	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	2.500													80 V	700mA	500nA (ICBO)	PNP	400mV a 50mA, 500mA	82 a 100 mA, 3 V	100 MHz
BSM300D12P3E005	1.0000	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore Rohm	-	Massa	Attivo	-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio su telaio	Modulo	BSM300	Carburo di silicio (SiC)	1260 W(Tc)	Modulo	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-BSM300D12P3E005	EAR99	8541.29.0095	4	2 canali N (mezzo ponte)		1200 V (1,2 kV)	300A (Tc)		-	5,6 V a 91 mA	-		14.000 pF a 10 V	-
DTA123JMT2L	0,3500	Richiesta di offerta	6	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	DTA123		150 mW	VMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000													50 V	100 mA	500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	2,2 kOhm	47 kOhm
UMD12NTR	0,4700	Richiesta di offerta	4	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMD12		150 mW	UMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V	100mA	500nA	1 NPN, 1 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 500 µA, 10 mA	68 a 5 mA, 5 V	250 MHz	47kOhm	47kOhm
DTA144WUAT106	0,3000	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-70, SOT-323	DTA144		200 mW	UMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	30 mA	500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	56 a 5 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm	22 kOhm
R6012JNXC7G	4.0000	Richiesta di offerta	8804	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	R6012	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FM	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	846-R6012JNXC7G	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN	600 V	12A (Tc)	15 V	390 mOhm a 6 A, 15 V	7 V a 2,5 mA	28 nC a 15 V	±30 V	900 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
UMB1NTN	0,0848	Richiesta di offerta	5871	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Design non per nuovi		Montaggio superficiale	6-TSSOP, SC-88, SOT-363	UMB1		150 mW	UMT6	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000													50 V	100mA	500nA	2 PNP - Prepolarizzato (doppio)	300 mV a 500 µA, 10 mA	56 a 5 mA, 5 V	-	22kOhm	22kOhm
SP8K33HZGTB	1.9700	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	SP8K33	MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta)	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)		60 V	5A (Ta)		48 mOhm a 5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	12nC a 5 V		620 pF a 10 V	-
RX3P12BATC16	6.8300	Richiesta di offerta	1682	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Attivo	150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	RX3P12	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220AB	scaricamento		1 (illimitato)		846-RX3P12BATC16			50		Canale P	100 V	120A (Ta)	6 V, 10 V	12,3 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 1 mA	385 nC a 10 V	±20 V	16600 pF a 50 V	-	201 W(Tc)
DTC123JEBTL	0,2700	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SC-89, SOT-490	DTC123		150 mW	EMT3F (SOT-416FL)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	100 mA	500nA	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	2,2 kOhm	47 kOhm
RZF020P01TL	0,5700	Richiesta di offerta	12	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	3-SMD, conduttori piatti	RZF020	MOSFET (ossido di metallo)		TUMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		Canale P	12 V	2A (Ta)	1,5 V, 4,5 V	105 mOhm a 2 A, 4,5 V	1 V@1 mA	6,5 nC a 4,5 V	±10 V	770 pF a 6 V	-	800 mW (Ta)
2SAR553P5T100	0,4300	Richiesta di offerta	29	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	2SAR553		500 mW	MPT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1.000													50 V	2A	1μA (ICBO)	PNP	400mV a 35mA, 700mA	180 a 50 mA, 2 V	320 MHz
RH6G040BGTB1	1.7900	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerVDFN		MOSFET (ossido di metallo)		8-HSMT (3,2x3)	scaricamento		3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		CanaleN	40 V	40A (Tc)	4,5 V, 10 V	3,6 mOhm a 40 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	25 nC a 10 V	±20 V	1580 pF a 20 V	-	59 W (Tc)
DTA144TMT2L	0,3900	Richiesta di offerta	8	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	SOT-723	DTA144		150 mW	VMT3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	8.000													50 V	100 mA	500nA (ICBO)	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 500 µA, 5 mA	100 a 1 mA, 5 V	250 MHz	47 kOhm
DTD143ECHZGT116	0,2500	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTD143		200 mW	SST3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														500 mA	-	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 2,5 mA, 50 mA	47 a 50 mA, 5 V	200 MHz	4,7 kOhm	4,7 kOhm
QS5U27TR	0,7400	Richiesta di offerta	128	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-5 Sottile, TSOT-23-5	QS5U27	MOSFET (ossido di metallo)		TSMT5	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000		Canale P	20 V	1,5A(Ta)	2,5 V, 4,5 V	200 mOhm a 1,5 A, 4,5 V	2 V a 1 mA	4,2 nC a 4,5 V	±12V	325 pF a 10 V	Diodo Schottky (isolato)	1,25 W(Ta)
RSQ015N06HZGTR	0,6600	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-23-6 Sottile, TSOT-23-6	RSQ015	MOSFET (ossido di metallo)		TSMT6 (SC-95)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000		CanaleN	60 V	1,5A(Ta)	4 V, 10 V	290 mOhm a 1,5 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	2 nC a 5 V	±20 V	110 pF a 10 V	-	950 mW(Ta)
DTB113ZCT116	0,3700	Richiesta di offerta	1	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTB113		200 mW	SST3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000													50 V	500 mA	500nA	PNP - Pre-polarizzato	300 mV a 2,5 mA, 50 mA	56 a 50 mA, 5 V	200 MHz	1 kOhm	10 kOhm
DTC143ZCAHZGT116	0,1900	Richiesta di offerta	26	Semiconduttore Rohm	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	DTC143		350 mW	SST3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000														100 mA	-	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 250 µA, 5 mA	80 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	47 kOhm
SP8K52HZGTB	1.8000	Richiesta di offerta	2	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	SP8K52	MOSFET (ossido di metallo)	2 W (Ta)	8-SOP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	2 canali N (doppio)		100 V	3A (Ta)		170 mOhm a 3 A, 10 V	2,5 V a 1 mA	8,5 nC a 5 V		610 pF a 25 V	-
2SAR375P5T100Q	0,6600	Richiesta di offerta	435	Semiconduttore Rohm	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-243AA	2SAR375		500 mW	MPT3	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	1.000													120 V	1,5 A	1μA (ICBO)	PNP	320mV a 80mA, 800mA	120 a 200 mA, 5 V	280 MHz
R6015ANZFU7C8	-	Richiesta di offerta	5471	Semiconduttore Rohm	-	Tubo	Obsoleto	150°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	R6015	MOSFET (ossido di metallo)		TO-3PF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato	846-R6015ANZFU7C8	EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN	600 V	15A (Tc)	10 V	300 mOhm a 7,5 A, 10 V	4,15 V a 1 mA	50 nC a 10 V	±30 V	1700 pF a 25 V	-	110 W (Tc)