Richiesta di offerta
Distinta base
Contattaci

Tel: +86-0755-83501315

E-mail:sales@sic-components.com

Registrazione

Italiano

Transistor(17799)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Assorbimento (Idss) @ Vds (Vgs=0)	Tensione - Interruzione (VGS disattivato) @ Id	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione	Resistore - Base (R1)	Resistore - Base emettitore (R2)	Assorbimento di corrente (Id) -Max
CPH5614-TL-E-ON	0,3200	Richiesta di offerta	6	onsemi	*	Massa	Attivo				CPH5614	-			-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.21.0095	3.000										-
2N7002	0,3500	Richiesta di offerta	5307	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	2N7002	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-23-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000	CanaleN	60 V	115mA (Ta)	5 V, 10 V	7,5 Ohm a 500 mA, 10 V	2,5 V a 250 µA		±20 V	50 pF a 25 V	-	200mW (Ta)
2SC5265LS	1.0000	Richiesta di offerta	5955	onsemi	*	Massa	Attivo								scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
FJNS3201RTA	-	Richiesta di offerta	1815	onsemi	-	Nastro e scatola (TB)	Obsoleto		Foro passante	TO-226-3, TO-92-3 Corpo corto	FJNS32		300 mW	TO-92S	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100 mA			100nA (ICBO)	NPN - Prepolarizzato	300 mV a 500 µA, 10 mA	20 a 10 mA, 5 V	250 MHz	4,7 kOhm	4,7 kOhm
SUGGERIMENTO111	-	Richiesta di offerta	5683	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	SUGGERIMENTO111		2 W	TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50												80 V	2A			2mA	NPN-Darlington	2,5 V a 8 mA, 2 A	1000 a 1 A, 4 V	-
FDB8880-ON	-	Richiesta di offerta	1551	onsemi	PowerTrench®	Massa	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB		MOSFET (ossido di metallo)		TO-263AB	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	0000.00.0000	1	CanaleN	30 V	11A (Ta), 54A (Tc)	4,5 V, 10 V	11,6 mOhm a 40 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±20 V	1240 pF a 15 V	-	55 W (Tc)
NTMFS5C646NT1G	1.1651	Richiesta di offerta	3248	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN, 5 conduttori	NTMFS5	MOSFET (ossido di metallo)		5-DFN (5x6) (8-SOFL)	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NTMFS5C646NT1GTR	EAR99	8541.29.0095	1.500	CanaleN	60 V	20A (Ta), 93A (Tc)	10 V	5 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 80 µA	19,2 nC a 10 V	±20 V	1500 pF a 10 V	-	3,7 W (Ta), 79 W (Tc)
HUF75309T3ST	-	Richiesta di offerta	9254	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	HUF75	MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223-4	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN	55 V	3A (Ta)	10 V	70 mOhm a 3 A, 10 V	4 V a 250 µA	23 nC a 20 V	±20 V	352 pF a 25 V	-	1,1 W (Ta)
S2SA1774G	0,4000	Richiesta di offerta	4	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SC-75, SOT-416	S2SA1774		150 mW	SC-75, SOT-416	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	3.000												50 V	100 mA			500pA (ICBO)	PNP	500mV a 5mA, 50mA	120 a 1 mA, 6 V	140 MHz
FDB2552-F085	-	Richiesta di offerta	3419	onsemi	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	FDB2552	MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	800	CanaleN	150 V	5A (Ta), 37A (Tc)	10 V	36 mOhm a 16 A, 10 V	4 V a 250 µA	51 nC a 10 V	±20 V	2800 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
2SD1827	0,5400	Richiesta di offerta	1	onsemi	*	Massa	Attivo								scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
NTD32N06LT4G	-	Richiesta di offerta	7551	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NTD32	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato	NTD32N06LT4GOS	EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN	60 V	32A (Ta)	5 V	28 mOhm a 16 A, 5 V	2 V a 250 µA	50 nC a 5 V	±20 V	1700 pF a 25 V	-	1,5 W (Ta), 93,75 W (Tj)
TF256-5-TL-H	-	Richiesta di offerta	1368	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	150°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1123	TF256		30 mW	3-USFP	-		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	10.000	CanaleN								3,1 pF a 2 V					240 µA a 2 V	100 mV a 1 µA								1 mA
2SJ612-TD-E	-	Richiesta di offerta	3037	onsemi	*	Massa	Attivo								-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1.000
FQPF7N65C	1.7000	Richiesta di offerta	986	onsemi	-	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	FQPF7	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F-3	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	650 V	7A(Tc)	10 V	1,4 Ohm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	36 nC a 10 V	±30 V	1245 pF a 25 V	-	52 W (Tc)
NVMFS5C410NWFET1G	2.2759	Richiesta di offerta	8851	onsemi	*	Nastro e bobina (TR)	Attivo								-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NVMFS5C410NWFET1GTR	EAR99	8541.29.0095	1.500
2SK1920-E	0,8300	Richiesta di offerta	46	onsemi	*	Massa	Attivo								-	Non applicabile	1 (illimitato)	Venditore non definito		EAR99	8541.29.0095	1
NTD4810NHT4G	-	Richiesta di offerta	8302	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	NTD48	MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN	30 V	9A (Ta), 54A (Tc)	4,5 V, 11,5 V	10 mOhm a 30 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	12 nC a 4,5 V	±20 V	1225 pF a 12 V	-	1,28 W (Ta), 50 W (Tc)
NTMFS4C908NAT1G	0,3901	Richiesta di offerta	4	onsemi	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo				NTMFS4				-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NTMFS4C908NAT1GTR	EAR99	8541.29.0095	1.500
FQD2N80TM	-	Richiesta di offerta	1023	onsemi	QFET®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	FQD2N80	MOSFET (ossido di metallo)		TO-252AA	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN	800 V	1,8 A(Tc)	10 V	6,3 Ohm a 900 mA, 10 V	5 V a 250 µA	15 nC a 10 V	±30 V	550 pF a 25 V	-	2,5 W (Ta), 50 W (Tc)
FDMC86184	2.1500	Richiesta di offerta	596	onsemi	PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerWDFN	FDMC86	MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (3,3x3,3)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	100 V	57A(Tc)	6 V, 10 V	8,5 mOhm a 21 A, 10 V	4 V a 110 µA	20 nC a 6 V	±20 V	2090 pF a 50 V	-	54 W (Tc)
NVTYS029N08HTWG	0,3818	Richiesta di offerta	6625	onsemi	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo	-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	SOT-1205, 8-LFPAK56		MOSFET (ossido di metallo)		8-LFPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	488-NVTYS029N08HTWGTR	EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	80 V	6,4 A (Ta), 21 A (Tc)	10 V	32,4 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 20 µA	6,3 nC a 10 V	±20 V	369 pF a 40 V	-	3,1 W (Ta), 33 W (Tc)
FQPF7N65C_F105	-	Richiesta di offerta	2752	onsemi	QFET®	Tubo	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	FQPF7	MOSFET (ossido di metallo)		TO-220F-3	scaricamento		1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN	650 V	7A(Tc)	10 V	1,4 Ohm a 3,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	36 nC a 10 V	±30 V	1245 pF a 25 V	-	52 W (Tc)
2SK2011	1.2600	Richiesta di offerta	13	onsemi	*	Massa	Attivo								scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
MUN2114T1	0,0200	Richiesta di offerta	78	onsemi	-	Massa	Obsoleto		Montaggio superficiale	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	MUN2114		230 mW	SC-59	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0095	3.000												50 V	100 mA			500nA	PNP - Pre-polarizzato	250 mV a 300 µA, 10 mA	80 a 5 mA, 10 V		10 kOhm	47 kOhm
FDMS0302S	-	Richiesta di offerta	4449	onsemi	PowerTrench®, SyncFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-PowerTDFN	FDMS0302	MOSFET (ossido di metallo)		8-PQFN (5x6)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	3.000	CanaleN	30 V	29A (Ta), 49A (Tc)	4,5 V, 10 V	1,9 mOhm a 28 A, 10 V	3 V a 1 mA	109 nC a 10 V	±20 V	7350 pF a 15 V	-	2,5 W (Ta), 89 W (Tc)
DTC124E	-	Richiesta di offerta	3854	onsemi	*	Massa	Attivo				DTC124				scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	RAGGIUNGERE Interessato		EAR99	8541.21.0095	1
2SD1193	1.2500	Richiesta di offerta	7	onsemi	*	Massa	Attivo								scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1
2SC4414S	-	Richiesta di offerta	7059	onsemi	*	Massa	Attivo								scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.21.0075	2.290
FDS4435BZ-F085	-	Richiesta di offerta	2826	onsemi	Automotive, AEC-Q101, PowerTrench®	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	FDS4435	MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canale P	30 V	8,8A(Ta)	4,5 V, 10 V	20 mOhm a 8,8 A, 10 V	3 V a 250 µA	40 nC a 10 V	±25 V	1845 pF a 15 V	-	2,5 W(Ta)