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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Configurazione	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente - Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
BUL416T	-	Richiesta di offerta	1943	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	BUL416				110 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-10558-5	EAR99	8541.29.0095	50																					800 V	6A							250μA	NPN	1,5 V a 1,33 A, 4 A	18 a 700 mA, 5 V	-
L6221AD013TR	-	Richiesta di offerta	3712	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-40°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	20-SOIC (0,295", larghezza 7,50 mm)	L6221				1 W	20-SO	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000																					50 V	1,8 A							-	4 NPN Darlington (quadruplo)	1,6 V a 1,8 A	-	-
STGWA15M120DF3	3.3098	Richiesta di offerta	8029	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGWA15	Standard			259 W	TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				600 V, 15 A, 22 Ohm, 15 V															270 n	Sosta sul campo di trincea	1200 V	30A	60A	2,3 V a 15 V, 15 A	550μJ (acceso), 850μJ (spento)	53 nC	26ns/122ns
STP5N80K5	1.8700	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP5N80			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16933	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						800 V	4A(Tc)	10 V	1,75 Ohm a 2 A, 10 V	5 V a 100 µA	5 nC a 10 V	±30 V	177 pF a 100 V	-	60 W (Tc)
STGFW20V60DF	2.9100	Richiesta di offerta	504	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	Pacchetto completo TO-3P-3	STGFW20	Standard			52 W	TO-3PF	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30				400 V, 20 A, 15 V															40 ns	Sosta sul campo di trincea	600 V	40A	80A	2,2 V a 15 V, 20 A	200μJ (acceso), 130μJ (spento)	116 nC	38ns/149ns
STW24N60M6	3.7300	Richiesta di offerta	7019	STMicroelettronica	MDmesh™ M6	Tubo	Attivo			Foro passante	TO-247-3	STW24			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	-	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600		CanaleN						600 V	17A(Tj)
RF5L08600CB4	217.8000	Richiesta di offerta	2734	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo	115 V		Montaggio su telaio	D4E	RF5L08600		400 MHz~1 GHz	LDMOS		D4E	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-RF5L08600CB4			100	-		1μA		110 mA	650W	19,5dB											-										50 V
2STA1943	2.9400	Richiesta di offerta	229	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-264-3, TO-264AA	2STA				150 W	TO-264	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0075	25																					230 V	15A							5μA (ICBO)	PNP	3 V a 800 mA, 8 A	80 a 1 A, 5 V	30 MHz
BU931	-	Richiesta di offerta	3983	STMicroelettronica	-	Massa	Obsoleto		200°C (TJ)	Montaggio su telaio	TO-204AA, TO-3	BU931				175 W	TO-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	100																					400 V	15A							100μA	NPN-Darlington	1,8 V a 250 mA, 10 A	300 a 5 A, 10 V	-
STP140N4F6	-	Richiesta di offerta	8730	STMicroelettronica	STRipFET™ F6	Tubo	Attivo		-	Foro passante	TO-220-3	STP140			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						40 V	80A (Tc)	4,5 V, 10 V	-	-		±20 V		-	168 W(Tc)
STF45N65M5	7.7700	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF45			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-12939-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	35A (Tc)	10 V	78 mOhm a 19,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	91 nC a 10 V	±25 V	3375 pF a 100 V	-	40 W (Tc)
PD54003-E	8.0223	Richiesta di offerta	3284	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo	25 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD54003		500 MHz	LDMOS		10-PowerSO	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50			4A		50 mA	3 W	12dB											-										7,5 V
STP3N150	5.2200	Richiesta di offerta	8470	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP3N150			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-6327-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						1500 V	2,5 A (TC)	10 V	9 Ohm a 1,3 A, 10 V	5 V a 250 µA	29,3 nC a 10 V	±30 V	939 pF a 25 V	-	140 W(Tc)
STD5N20LT4	1.1100	Richiesta di offerta	21	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD5N20			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						200 V	5A (Tc)	5 V	700 mOhm a 2,5 A, 5 V	2,5 V a 50 µA	6 nC a 5 V	±20 V	242 pF a 25 V	-	33 W (Tc)
STP80N70F4	-	Richiesta di offerta	8049	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP80N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	Non applicabile	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1		CanaleN						68 V	85A (Tc)	10 V	9,8 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	90 nC a 10 V	±20 V	5600 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STGP14N60D	-	Richiesta di offerta	2202	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-	Foro passante	TO-220-3	STGP14	Standard			95 W	TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-8898-5	EAR99	8541.29.0095	50				390 V, 7 A, 10 Ohm, 15 V															37 ns	-	600 V	25A	50A	2,1 V a 15 V, 7 A	-		-
PD57006TR-E	-	Richiesta di offerta	8138	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	65 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10RF (2 conduttori formati)	PD57006		945 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (formato piombo)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600			1A		70 mA	6 W	15dB											-										28 V
STD50N03L-1	-	Richiesta di offerta	1596	STMicroelettronica	STRipFET™ III	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STD50N			MOSFET (ossido di metallo)		I-PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						30 V	40A (Tc)	5 V, 10 V	10,5 mOhm a 20 A, 10 V	1 V a 250 µA	14 nC a 5 V	±20 V	1434 pF a 25 V	-	60 W (Tc)
STD3N62K3	1.0500	Richiesta di offerta	3	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD3N62			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500		CanaleN						620 V	2,7 A(Tc)	10 V	2,5 Ohm a 1,4 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	13 nC a 10 V	±30 V	385 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
STF12NM60N	-	Richiesta di offerta	9351	STMicroelettronica	MDmesh™II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF12			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	10A (Tc)	10 V	410 mOhm a 5 A, 10 V	4 V a 250 µA	30,5 nC a 10 V	±25 V	960 pF a 50 V	-	25 W (Tc)
STP78NF55-08	-	Richiesta di offerta	8323	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante		STP78N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						55 V	80A (Tc)	10 V	8 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	155 nC a 10 V	±20 V	3740 pF a 25 V	-	300 W(Tc)
STP8N80K5	2.5600	Richiesta di offerta	123	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP8N80			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						800 V	6A (Tc)	10 V	950 mOhm a 3 A, 10 V	5 V a 100 µA	16,5 nC a 10 V	±30 V	450 pF a 100 V	-	110 W (Tc)
STB15N65M5	-	Richiesta di offerta	3740	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB15N			MOSFET (ossido di metallo)		D²PAK (TO-263)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000		CanaleN						650 V	11A(Tc)	10 V	340 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±25 V	810 pF a 100 V	-	85 W (Tc)
STU5N52K3	-	Richiesta di offerta	7772	STMicroelettronica	SuperMESH3™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-251-3 Cavi corti, IPak, TO-251AA	STU5N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-251 (IPAK)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	75		CanaleN						525 V	4,4 A(Tc)	10 V	1,5 Ohm a 2,2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	17 nC a 10 V	±30 V	545 pF a 100 V	-	70 W (Tc)
STP34NM60N	10.0400	Richiesta di offerta	672	STMicroelettronica	MDmesh™II	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP34			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-10884-5	EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						600 V	29A(Tc)	10 V	105 mOhm a 14,5 A, 10 V	4 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±25 V	2722 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STW20N65M5	-	Richiesta di offerta	5167	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW20N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30		CanaleN						650 V	18A (Tc)	10 V	190 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 250 µA	45 nC a 10 V	±25 V	1345 pF a 100 V	-	130 W(Tc)
ST13007DFP	1.4100	Richiesta di offerta	490	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	ST13007				36 W	TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																					400 V	8A							100μA	NPN	2 V a 2 A, 8 A	8 a 5 A, 5 V	-
STI35N65M5	-	Richiesta di offerta	5606	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STI35N			MOSFET (ossido di metallo)		I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50		CanaleN						650 V	27A(Tc)	10 V	98 mOhm a 13,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	83 nC a 10 V	±25 V	3750 pF a 100 V	-	160 W(Tc)
PD55003STR-E	-	Richiesta di offerta	1427	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	40 V			Cuscinetto inferiore esposto PowerSO-10	PD55003		500 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (cavo dritto)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600			2,5 A		50 mA	3 W	17dB											-										12,5 V
STN878	0,7500	Richiesta di offerta	65	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN878				1,6 W	SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000																					30 V	5A							10μA (ICBO)	NPN	1,2 V a 500 mA, 10 A	100 a 500 mA, 1 V	-