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Transistor(3861)

Numero del prodotto	Prezzi (USD)	Quantità	Quantità disponibile	Mfr	Serie	Pacchetto	Stato del prodotto	Voltaggio: nominale	Temperatura operativa	Tipo di montaggio	Pacchetto/custodia	Numero del prodotto base	Tipo di ingresso	Frequenza	Tecnologia	Potenza: max	Pacchetto dispositivo del fornitore	Scheda dati	Stato RoHS	Livello di sensibilità all'umidità (MSL)	Stato REACH	Altri nomi	ECCN	HTSUS	Pacchetto standard	Tipo FET	Corrente nominale (Amp)	Condizione di prova	Corrente-Prova	Potenza-Uscita	Guadagno	Dallo scarico alla tensione di origine (Vdss)	Corrente - Scarico continuo (Id) a 25°C	Tensione di comando (Rds max attivato, Rds min attivato)	Rds attivo (max) @ Id, Vgs	Vgs(esimo) (Max) @ Id	Cancello di carica (Qg) (max) @ Vgs	Vg (massimo)	Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	Funzionalità FET	Dissipazione di potenza (massima)	Figura di rumore	Tempo di recupero inverso (trr)	Tipo IGBT	Tensione - Guasto collettore emettitore (max)	Corrente - Collettore (Ic) (Max)	Corrente - Collettore pulsato (Icm)	Vce(acceso) (Max) @ Vge, Ic	Cambiare energia	Carica di cancello	Td (acceso/spento) @ 25°C	Tensione - Prova	Corrente - Interruzione collettore (max)	Tipo di transistor	Saturazione Vce (max) @ Ib, Ic	Guadagno corrente CC (hFE) (Min) @ Ic, Vce	Frequenza - Transizione
STD40P8F6AG	1.9600	Richiesta di offerta	4859	STMicroelettronica	Automobilistico, AEC-Q101	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD40			MOSFET (ossido di metallo)		D-PAK (TO-252)	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canale P						80 V	40A (Tc)	10 V	28 mOhm a 20 A, 10 V	4 V a 250 µA	73 nC a 10 V	±20 V	4112 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
STFH10N60M2	1.6600	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STFH10			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FPAB	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	46	CanaleN						600 V	7,5 A(Tc)	10 V	600 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	13,5 nC a 10 V	±25 V	400 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STFH24N60M2	2.9500	Richiesta di offerta	905	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STFH24			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-16596-5	EAR99	8541.29.0095	46	CanaleN						600 V	18A (Tc)	10 V	190 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±25 V	1060 pF a 100 V	-	35 W (Tc)
STP80NE06-10	-	Richiesta di offerta	1346	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP80N			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	RoHS non conforme	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-2778-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						60 V	80A (Tc)	10 V	10 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 250 µA	140 nC a 10 V	±20 V	10.000 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STGWA40HP65FB2	4.7900	Richiesta di offerta	43	STMicroelettronica	HB2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGWA40	Standard			227 W	TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-19059	EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 40 A, 4,7 Ohm, 15 V															140 n	Sosta sul campo di trincea	650 V	72A	120A	2 V a 15 V, 40 A	410μJ (spento)	153 nC	-/125ns
STGWT60H60DLFB	-	Richiesta di offerta	6845	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-3P-3, SC-65-3	STGWT60	Standard			375 W	TO-3P	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 60 A, 5 Ohm, 15 V																Sosta sul campo di trincea	600 V	80A	240A	2 V a 15 V, 60 A	626μJ (spento)	306 nC	-/160ns
STF21N90K5	8.0000	Richiesta di offerta	200	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF21			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						900 V	18,5 A(Tc)	10 V	299 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 100 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1645 pF a 100 V	-	40 W (Tc)
STP21N90K5	6.6600	Richiesta di offerta	8586	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP21			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-12864-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						900 V	18,5 A(Tc)	10 V	299 mOhm a 9 A, 10 V	5 V a 100 µA	43 nC a 10 V	±30 V	1645 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STF20NM60D	-	Richiesta di offerta	9871	STMicroelettronica	FDmesh™	Tubo	Obsoleto		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF20			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						600 V	20A (Tc)	10 V	290 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	37 nC a 10 V	±30 V	1300 pF a 25 V	-	45 W (Tc)
STF18N55M5	3.2100	Richiesta di offerta	142	STMicroelettronica	MDmesh™ V	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF18			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						550 V	16A (Tc)	10 V	192 mOhm a 8 A, 10 V	5 V a 250 µA	31 nC a 10 V	±25 V	1260 pF a 100 V	-	25 W (Tc)
STGB6NC60HD-1	-	Richiesta di offerta	4313	STMicroelettronica	PowerMESH™	Tubo	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-262-3 Cavi lunghi, I²Pak, TO-262AA	STGB6	Standard			56 W	I2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000			390 V, 3 A, 10 Ohm, 15 V															21 ns	-	600 V	15A	21A	2,5 V a 15 V, 3 A	20μJ (acceso), 68μJ (spento)	13,6 nC	12ns/76ns
STB70NFS03LT4	-	Richiesta di offerta	6147	STMicroelettronica	STRipFET™	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB70N			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	1026-STB70NFS03LT4	EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						30 V	70A (Tc)	5 V, 10 V	9,5 mOhm a 35 A, 10 V	1 V a 250 µA	30 nC a 5 V	±18 V	1440 pF a 25 V	-	100 W (Tc)
STB120NF10T4	4.7800	Richiesta di offerta	12	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB120			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						100 V	110A (Tc)	10 V	10,5 mOhm a 60 A, 10 V	4 V a 250 µA	233 nC a 10 V	±20 V	5200 pF a 25 V	-	312 W(Tc)
STW24N60M2	-	Richiesta di offerta	3726	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW24			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN						600 V	18A (Tc)	10 V	190 mOhm a 9 A, 10 V	4 V a 250 µA	29 nC a 10 V	±25 V	1060 pF a 100 V	-	150 W(Tc)
STF26N60DM6	4.0900	Richiesta di offerta	1047	STMicroelettronica	MDmesh™DM6	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF26			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-18496	EAR99	8541.29.0095	350	CanaleN						600 V	18A (Tc)	10 V	195 mOhm a 9 A, 10 V	4,75 V a 250 µA	24 nC a 10 V	±25 V	940 pF a 100 V	-	30 W (Tc)
STW45NM60	14.0100	Richiesta di offerta	4086	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STW45			MOSFET (ossido di metallo)		TO-247-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	30	CanaleN						650 V	45A (Tc)	10 V	110 mOhm a 22,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	134 nC a 10 V	±30 V	3800 pF a 25 V	-	417 W(Tc)
STF26N65DM2	2.1186	Richiesta di offerta	8103	STMicroelettronica	MDmesh™DM2	Tubo	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF26			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						650 V	20A (Tc)	10 V	190 mOhm a 10 A, 10 V	5 V a 250 µA	35,5 nC a 10 V	±25 V	1480 pF a 100 V	-	30 W (Tc)
STF18N65DM2	1.4320	Richiesta di offerta	1870	STMicroelettronica	-	Massa	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STF18			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	-	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STF18N65DM2	EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						650 V	12A (Tc)	10 V	295 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 250 µA	22 nC a 10 V	±25 V	965 pF a 100 V	-	28 W (Tc)
STD11N50M2	1.4900	Richiesta di offerta	5653	STMicroelettronica	MDmesh™ II Plus	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD11			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						500 V	8A (Tc)	10 V	530 mOhm a 4 A, 10 V	4 V a 250 µA	12 nC a 10 V	±25 V	395 pF a 100 V	-	85 W (Tc)
STH13N120K5-2AG	10.7200	Richiesta di offerta	5067	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STH13			MOSFET (ossido di metallo)		H2Pak-2	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-STH13N120K5-2AGTR	EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						1200 V	12A (Tc)	10 V	690 mOhm a 6 A, 10 V	5 V a 100 µA	44,2 nC a 10 V	±30 V	1370 pF a 100 V	-	250 W(Tc)
STGWA40IH65DF	4.9500	Richiesta di offerta	2170	STMicroelettronica	IH	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-247-3	STGWA40	Standard			238 W	TO-247 Cavi lunghi	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-18497	EAR99	8541.29.0095	30			400 V, 40 A, 22 Ohm, 15 V																Sosta sul campo di trincea	650 V	80A	120A	2 V a 15 V, 40 A	190μJ (spento)	114 nC	-/210ns
PD85025STR-E	-	Richiesta di offerta	4019	STMicroelettronica	-	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto	40 V			Pannello inferiore esposto PowerSO-10RF (2 conduttori diritti)	PD85025		870 MHz	LDMOS		PowerSO-10RF (cavo diritto)	scaricamento	Conformità ROHS3	3 (168 ore)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	600		7A		300 mA	10 W	17,3dB											-										13,6 V
STS5P3LLH6	0,9800	Richiesta di offerta	27	STMicroelettronica	DeepGATE™, STripFET™ H6	Nastro e bobina (TR)	Attivo		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	8-SOIC (0,154", larghezza 3,90 mm)	STS5P3			MOSFET (ossido di metallo)		8-SOIC	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	Canale P						30 V	5A (Ta)	4,5 V, 10 V	56 mOhm a 2,5 A, 10 V	2,5 V a 250 µA	6 nC a 4,5 V	±20 V	639 pF a 25 V	-	2,7 W(Ta)
STN1NF10	0,7600	Richiesta di offerta	156	STMicroelettronica	STRipFET™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-261-4, TO-261AA	STN1N			MOSFET (ossido di metallo)		SOT-223	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-14747-6	EAR99	8541.29.0095	4.000	CanaleN						100 V	1A(Tc)	10 V	800 mOhm a 500 mA, 10 V	4 V a 250 µA	6 nC a 10 V	±20 V	105 pF a 25 V	-	2,5 W(Tc)
2N5195	-	Richiesta di offerta	7959	STMicroelettronica	-	Tubo	Obsoleto		150°C (TJ)	Foro passante	TO-225AA, TO-126-3	2N51				40 W	SOT-32-3	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	50																				80 V	4A							1mA	PNP	1,2 V a 1 A, 4 A	20 a 1,5 A, 2 V	2 MHz
STP11NM80	6.3500	Richiesta di offerta	7267	STMicroelettronica	MDmesh™	Tubo	Attivo		-65°C ~ 150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP11			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-4369-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						800 V	11A(Tc)	10 V	400 mOhm a 5,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	43,6 nC a 10 V	±30 V	1630 pF a 25 V	-	150 W(Tc)
STP70NS04ZC	-	Richiesta di offerta	7508	STMicroelettronica	-	Tubo	Attivo		-55°C ~ 175°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3	STP70			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220	scaricamento	Conformità ROHS3		REACH Inalterato	497-STP70NS04ZC	EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						33 V	80A (Tc)	10 V	11 mOhm a 40 A, 10 V	4 V a 1 mA	58 nC a 10 V	±20 V	1930 pF a 25 V	-	180 W(Tc)
STB25NM60ND	-	Richiesta di offerta	3311	STMicroelettronica	FDmesh™ II	Nastro e bobina (TR)	Obsoleto		150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB	STB25N			MOSFET (ossido di metallo)		D2PAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	1.000	CanaleN						600 V	21A(Tc)	10 V	160 mOhm a 10,5 A, 10 V	5 V a 250 µA	80 nC a 10 V	±25 V	2400 pF a 50 V	-	160 W(Tc)
STP4NK60ZFP	1.9000	Richiesta di offerta	6	STMicroelettronica	SuperMESH™	Tubo	Attivo		150°C (TJ)	Foro passante	TO-220-3 Pacchetto completo	STP4NK60			MOSFET (ossido di metallo)		TO-220FP	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato	497-5980-5	EAR99	8541.29.0095	50	CanaleN						600 V	4A(Tc)	10 V	2 Ohm a 2 A, 10 V	4,5 V a 50 µA	26 nC a 10 V	±30 V	510 pF a 25 V	-	25 W (Tc)
STD2N95K5	1.5700	Richiesta di offerta	1	STMicroelettronica	SuperMESH5™	Nastro e bobina (TR)	Attivo		-55°C ~ 150°C (TJ)	Montaggio superficiale	TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63	STD2N95			MOSFET (ossido di metallo)		DPAK	scaricamento	Conformità ROHS3	1 (illimitato)	REACH Inalterato		EAR99	8541.29.0095	2.500	CanaleN						950 V	2A(Tc)	10 V	5 Ohm a 1 A, 10 V	5 V a 100 µA	10 nC a 10 V	30 V	105 pF a 100 V	-	45 W (Tc)