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Diodi(14739)

Immagine Numero del prodotto Prezzi (USD) Quantità ECAD Quantità disponibile Peso(Kg) Mfr Serie Pacchetto Stato del prodotto Tolleranza Temperatura operativa Tipo di montaggio Pacchetto/custodia Numero del prodotto base Tecnologia Potenza: max Pacchetto dispositivo del fornitore Scheda dati Stato RoHS Livello di sensibilità all'umidità (MSL) Stato REACH Altri nomi ECCN HTSUS Pacchetto standard Velocità Configurazione del diodo Tensione - CC inversa (Vr) (max) Corrente - Media rettificata (Io) (per diodo) Tensione - Diretta (Vf) (Max) @ If Tempo di recupero inverso (trr) Corrente - Dispersione inversa @ Vr Temperatura operativa - Giunzione Corrente - Media rettificata (Io) Capacità @ Vr, F Tipo di diodo Tensione - Picco inverso (max) Voltaggio - Zener (Nom) (Vz) Impedenza (max) (Zzt)
DBLS153G RDG Taiwan Semiconductor Corporation DBLS153GRDG -
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 ECAD 3794 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 4-SMD, Ala di gabbiano DBLS153 Standard DBLS scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.500 1,1 V a 1,5 A 2 µA a 200 V 1,5 A Monofase 200 V
HS1BL MQG Taiwan Semiconductor Corporation HS1BL MQG -
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 ECAD 6110 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB HS1B Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 950 mV a 1 A 50 n 5 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 1A 20 pF a 4 V, 1 MHz
BZT55C3V0 L1G Taiwan Semiconductor Corporation BZT55C3V0L1G -
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 ECAD 8467 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-213AC, MINI-MELF, SOD-80 BZT55 500 mW MiniMELF scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 2.500 1 V a 10 mA 4 µA a 1 V 3 V 85 Ohm
BZD27C150PHMHG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C150PHMHG -
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 ECAD 4322 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,12% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 10.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 110 V 147 V 300 ohm
SR306HA0G Taiwan Semiconductor Corporation SR306HA0G -
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 ECAD 9175 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e scatola (TB) Attivo Foro passante DO-201AD, assiale SR306 Schottky DO-201AD scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 700 mV a 3 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 3A -
6A20GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation 6A20GHB0G -
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 ECAD 3748 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Foro passante R-6, assiale 6A20 Standard R-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 400 Standard Recupero >500ns, >200mA (Io) 200 V 1 V a 6 A 10 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 6A 60 pF a 4 V, 1 MHz
BZT55B10 Taiwan Semiconductor Corporation BZT55B10 0,0385
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 ECAD 9686 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo ±2% -65°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale Variante SOD-80 500 mW QMMELF scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-BZT55B10TR EAR99 8541.10.0050 10.000 1 V a 10 mA 100 nA a 7,5 V 10 V 15 Ohm
BZD27C11PHRUG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C11PHRUG 0,2933
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 ECAD 1923 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5,45% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 1.800 1,2 V a 200 mA 4 µA a 8,2 V 11 V 7 Ohm
SS310HM6G Taiwan Semiconductor Corporation SS310HM6G -
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 ECAD 4256 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC SS310 Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 100 V 850 mV a 3 A 100 µA a 100 V -55°C ~ 150°C 3A -
HER1008G Taiwan Semiconductor Corporation HER1008G 0,5559
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 ECAD 1983 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-220-3 HER1008 Standard TO-220AB scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 10A 1,7 V a 5 A 80 ns 10 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C
BZS55B22 RAG Taiwan Semiconductor Corporation BZS55B22 RAG -
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 ECAD 6580 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±2% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale 1206 (3216 metri) BZS55 500 mW 1206 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-BZS55B22RAGTR EAR99 8541.10.0050 5.000 1,5 V a 10 mA 100 nA a 16 V 22 V 55 Ohm
RS1GLHRVG Taiwan Semiconductor Corporation RS1GLHRVG -
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 ECAD 9234 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB RS1G Standard SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 3.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 800 mA 150 n 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 800 mA 10 pF a 4 V, 1 MHz
MBRAD20200H Taiwan Semiconductor Corporation MBRAD20200H 1.3300
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 ECAD 1599 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-252-3, DPak (2 derivazioni + linguatta), SC-63 MBAD20200 Schottky ThinDPAK - Conformità ROHS3 1 (illimitato) 4.500 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 950 mV a 20 A 10 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 20A 295 pF a 4 V, 1 MHz
SRS2020 MNG Taiwan Semiconductor Corporation SRS2020MNG -
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 ECAD 5750 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-263-3, D²Pak (2 cavi + linguatta), TO-263AB SRS2020 Standard TO-263AB (D²PAK) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1 paio di catodo comune 20 V 20A 550 mV a 10 A 500 µA a 20 V -55°C ~ 125°C
RS2DFL Taiwan Semiconductor Corporation RS2DFL 0,0888
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 ECAD 2492 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale SOD-123F Standard SOD-123F scaricamento Conformità ROHS3 REACH Inalterato 1801-RS2DFLTR EAR99 8541.10.0080 10.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 1,3 V a 2 A 150 n 5 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 2A 16 pF a 4 V, 1 MHz
PUUP3J Taiwan Semiconductor Corporation PUUP3J 0,6300
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 ECAD 5 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale TO-277, 3-PowerDFN PUUP Standard TO-277A (SMPC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 6.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,7 V a 3 A 26 ns 2 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 3A 31 pF a 4 V, 1 MHz
SF1601PT C0G Taiwan Semiconductor Corporation SF1601PT C0G -
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 ECAD 2206 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Attivo Foro passante TO-247-3 SF1601 Standard TO-247AD (TO-3P) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 50 V 950 mV a 8 A 35 ns 10 µA a 50 V -55°C ~ 150°C 16A 85 pF a 4 V, 1 MHz
SF16GHB0G Taiwan Semiconductor Corporation SF16GHB0G -
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 ECAD 1987 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Massa Attivo Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale SF16 Standard DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 400 V 1,3 V a 1 A 35 ns 5 µA a 400 V -55°C ~ 150°C 1A 10 pF a 4 V, 1 MHz
RS1JAL Taiwan Semiconductor Corporation RS1JAL 0,4800
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 ECAD 5 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-221AC, cavi piatti SMA RS1J Standard SMA sottile - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 14.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,3 V a 1 A 250 n 1 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 1A 7 pF a 4 V, 1 MHz
1SMA5927H Taiwan Semiconductor Corporation 1SMA5927H 0,1004
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 ECAD 4655 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Montaggio superficiale DO-214AC, SMA 1SMA5927 1,5 W DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 7.500 500 nA a 9,1 V 12 V 6,5 Ohm
TSZL52C13-F0 RWG Taiwan Semiconductor Corporation TSZL52C13-F0RWG -
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 ECAD 7393 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Obsoleto ±5% -55°C ~ 125°C (TJ) Montaggio superficiale 1005 (2512 metri) 200 mW 1005 - Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-TSZL52C13-F0RWGTR EAR99 8541.10.0050 4.000 900 mV a 10 mA 100 nA a 10 V 13 V 25 Ohm
HS5M R7G Taiwan Semiconductor Corporation HS5M R7G -
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 ECAD 4115 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC HS5M Standard DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 1000 V 1,7 V a 5 A 75 ns 10 µA a 1000 V -55°C ~ 150°C 5A 50 pF a 4 V, 1 MHz
BZD27C47PHRFG Taiwan Semiconductor Corporation BZD27C47PHRFG -
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 ECAD 9186 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±6,38% -55°C ~ 175°C (TJ) Montaggio superficiale DO-219AB BZD27 1 W SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 3.000 1,2 V a 200 mA 1 µA a 36 V 47 V 45 Ohm
1N4764AH Taiwan Semiconductor Corporation 1N4764AH 0,1188
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 ECAD 1208 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan Automobilistico, AEC-Q101 Nastro e bobina (TR) Attivo ±5% -55°C ~ 150°C (TJ) Foro passante DO-204AL, DO-41, assiale 1N4764 1 W DO-204AL (DO-41) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 5 µA a 76 V 100 V 350 Ohm
BZX55C11 A0G Taiwan Semiconductor Corporation BZX55C11 A0G -
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 ECAD 7427 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e scatola (TB) Attivo ±5% -55°C ~ 175°C (TJ) Foro passante DO-204AH, DO-35, assiale BZX55 500 mW DO-35 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0050 5.000 1 V a 100 mA 100 nA a 8,2 V 11 V 20 Ohm
PU2JA Taiwan Semiconductor Corporation PU2JA 0,1050
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 ECAD 9173 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-214AC, SMA PU2J Standard DO-214AC (SMA) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato 1801-PU2JATR EAR99 8541.10.0080 15.000 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 600 V 1,5 V a 2 A 26 ns 2 µA a 600 V -55°C ~ 150°C 2A 22pF @ 4A, 1MHz
SK86C R7G Taiwan Semiconductor Corporation SK86C R7G -
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 ECAD 1183 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Interrotto alla SIC Montaggio superficiale DO-214AB, SMC SK86 Schottky DO-214AB (SMC) scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 850 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 60 V 750 mV a 8 A 500 µA a 60 V -55°C ~ 150°C 8A -
SFA804G C0G Taiwan Semiconductor Corporation SFA804G C0G -
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 ECAD 2302 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Tubo Interrotto alla SIC Foro passante TO-220-2 SFA804 Standard TO-220AC scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 50 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 200 V 975 mV a 8 A 35 ns 10 µA a 200 V -55°C ~ 150°C 8A 100 pF a 4 V, 1 MHz
SK15H45 B0G Taiwan Semiconductor Corporation SK15H45 B0G -
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 ECAD 1647 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Massa Attivo Foro passante R-6, assiale SK15 Schottky R-6 scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 400 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 45 V 560 mV a 15 A 150 µA a 45 V 200°C (massimo) 15A -
SS29L R3G Taiwan Semiconductor Corporation SS29L R3G -
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 ECAD 7646 0.00000000 Società di semiconduttori di Taiwan - Nastro e bobina (TR) Attivo Montaggio superficiale DO-219AB SS29 Schottky SottoSMA scaricamento Conformità ROHS3 1 (illimitato) REACH Inalterato EAR99 8541.10.0080 1.800 Recupero veloce =<500ns, >200 mA (Io) 90 V 850 mV a 2 A 100 µA a 90 V -55°C ~ 150°C 2A -
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